型号:

BC858BLT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
批次:5年内
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
BC858BLT1G 产品实物图片
BC858BLT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 30V 100mA PNP SOT-23
库存数量
库存:
352
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.107
3000+
0.085
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)30V
功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)90@10uA,5.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)4uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@10mA,0.5mA
工作温度-55℃~+150℃

BC858BLT1G 产品概述

一、产品简介

BC858BLT1G 是 ON Semiconductor(安森美)公司生产的一款高性能 PNP 型双极晶体管(BJT),它采用表面贴装技术(SMD)封装,具有极小的体积和优秀的电子特性。该器件广泛应用于低功耗的开关和放大电路中,适合用于需要高增益和小尺寸的应用场合,如移动设备、消费电子和工业控制等。

二、主要特性

  1. 晶体管类型:PNP 型三极管,适用于各种电流控制和信号放大电路。

  2. 集电极电流(Ic):最大工作电流为 100mA,能满足常见的负载需求。

  3. 集射极击穿电压(BVceo):最大值为 30V,提供了足够的耐压能力,以适应多种电源电压环境。

  4. 饱和压降:在 Ic 为 100mA、Ib 为 5mA 时,Vce 的饱和压降最大为 650mV,这使得在开关状态下能有效降低功耗,提高效率。

  5. 截止电流:集电极截止电流(ICBO)最大值为 15nA,确保了良好的开关特性,适用于高精度的应用。

  6. DC 电流增益(hFE):在 2mA 和 5V 条件下,hFE 的最小值为 220,显示出良好的放大能力,能够满足较高的信号放大需求。

  7. 功率耗散:该器件的最大功率耗散为 300mW,适合长时间运行的应用设计。

  8. 频率特性:具有高达 100MHz 的跃迁频率,说明其在高频信号处理中的应用潜力。

  9. 工作温度范围:器件可在 -55°C 到 150°C 的温度范围内工作,适合于恶劣环境下的应用。

  10. 封装形式:采用 SOT-23-3(TO-236)小型封装,方便PCB布局,适合现代电子设备的小型化需求。

三、应用领域

BC858BLT1G 的设计主要面向以下几个应用领域:

  1. 消费电子:如手机、平板电脑、音响设备中的信号放大和开关控制,通过其高增益特性帮助优化电路设计。

  2. 工业控制:在传感器信号处理、信号放大和电流控制等场合中,能够稳定地提供所需的性能,适用于工控设备的各类电路。

  3. 汽车应用:可用于汽车电子设备中,例如传感器、执行器及其他控制系统,因其宽广的工作温度范围而受到青睐。

  4. 医疗设备:在医疗信号探测和处理应用中,提供高准确度和可靠性,符合现代医疗设备的严苛要求。

  5. LED 驱动:该器件也可以用作LED驱动电路中的开关元件,通过精准控制电流来调节LED亮度以实现调光功能。

四、结论

BC858BLT1G 是一款功能强大且应用广泛的 PNP 型三极管,凭借其出色的电气特性和可靠的性能,为众多电子设备提供了理想的解决方案。随着电子产品向小型化和高性能化的趋势发展,BC858BLT1G 无疑将成为设计工程师的一个重要工具,为其电路设计提供更多可能性。在选择合适的三极管时,BC858BLT1G 确实是一款值得考虑的优质选择。