描述：场效应管(MOSFET) 1.9W 60V 7.2A；23.6A 1个P沟道 TO-252
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1+
1.3
2500+
1.24
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)23.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V
功率(Pd)3.8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12nC
输入电容(Ciss@Vds)1.377nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)68pF@30V
工作温度-55℃~+175℃
DMPH6050SK3Q-13 产品概述
产品简介
DMPH6050SK3Q-13 是一款由美台（DIODES）推出的高性能 P 通道 MOSFET，封装类型为 TO-252（也称 DPAK），专为各类高效功率应用而设计。该器件的主要特点包括宽电压范围、高电流承载能力及良好的导电性能，是现代电子设备中不可或缺的重要元件。
主要规格
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）: 最高可达 60V，适用于多种工业和消费电子应用
- 连续漏极电流 (Id): 25°C 时可达 7.2A（在环境温度下）、23.6A（在晶体管结温下）
- 驱动电压: 最小 Rds On 驱动电压为 4.5V，最大为 10V，使其在不同电压下也能保持良好的性能
- 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动电压下，7A 时最大导通电阻为 50 毫欧，提供了优异的导电效率
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 3V @ 250μA，确保快速开启和关闭
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 25nC @ 10V，适合高频应用
- 输入电容 (Ciss): 在 30V 时，最大输入电容为 1377pF，支持高效能输入信号处理
- 功率耗散: 在环境温度下最大功率耗散达到 1.9W，适合低功耗设计
- 工作温度范围: 从 -55°C 到 175°C 的宽广工作温度适用范围，满足严苛环境下的稳定运行需求
封装和安装
DMPH6050SK3Q-13 使用 TO-252 封装形式，这种表面贴装器件具有良好的散热性能和较小的安装面积。TO-252 封装的设计使得这种MOSFET 更加便于集成入现代电子电路中，优化 PCB 布局和空间使用。
应用领域
DMPH6050SK3Q-13 适用于多个领域，包括：
- 电源管理: 可以在开关电源、线性稳压器等电源模块中用作开关开关，同时降低导通损耗。
- 负载开关: 在便携式设备、LED 照明和汽车应用中作为负载开关，以优化功率分配。
- 电动机驱动: 动力控制电路中可应用于电动机驱动，减少热量发散，提高效率。
- 通用开关应用: 由于其优秀的电气特性，可广泛应用于各种通用开关电路。
性能优越性
作为一款 P 通道 MOSFET，DMPH6050SK3Q-13 具有较低的开关损耗和导通损耗，适合高效能电路设计。其设计符合现代电子产品对功率效率的需求，尤其是在需要快速切换及热量管理的应用中表现卓越。
结论
总之，DMPH6050SK3Q-13 是一款性能突出的 P 通道 MOSFET，适用于广泛的电子应用。凭借其高电压和电流能力，以及很好的电气特性，使其在功率管理及负载开关领域中成为一个理想的选择。无论是在消费电子、工业自动化，还是电动工具上，其卓越的性能均能满足市场不断增长的需求。