描述：三极管(BJT) 1.04W 50V 3A NPN MSOP-8
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1000+
2.66
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)50V
功率(Pd)1.04W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)300@1A,2V
特征频率(fT)132MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)135mV@3A,300mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
ZXT12N50DXTA 产品概述
一、产品简介
ZXT12N50DXTA是一款由Diodes Incorporated制造的高性能NPN三极管（BJT），专为需要高功率和高频率操作的电子设备设计。这款三极管采用了表面贴装型（SMD）封装，符合现代紧凑型电路设计的要求，具有出色的电气特性和可靠性，适用于多种应用场景。
二、主要参数
- 制造商: Diodes Incorporated
- 封装类型: 8-MSOP（3.00mm宽），适合表面贴装
- 晶体管类型: NPN（双）
- 最大集电极电流 (Ic): 3A
- 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V
- 饱和压降 (VceS): 最大值250mV @ 50mA，3A
- 集电极截止电流 (Ic(off)): 最大值100nA
- 最小DC电流增益 (hFE): 300 @ 1A，2V
- 最大功率耗散: 1.04W
- 频率 - 跃迁: 132MHz
- 工作温度范围: -55°C至150°C
三、应用领域
ZXT12N50DXTA在现代电子产品中具有广泛的应用，包括但不限于：
- 开关电源: 由于其高电流处理能力和高频特性，它适合在开关电源中作为开关元件使用。
- 放大电路: 其高增益特性使得此三极管非常适合用于音频和射频放大器的设计。
- 信号放大: 可以用于各种信号处理电路，确保衰减信号的有效放大。
- 电机驱动: 由于其强大的输出电流能力，ZXT12N50DXTA能够高效驱动直流电机、步进电机等负载。
- 光耦合和继电器控制: 在需要驱动高功率继电器或光耦的场景中，也能发挥良好性能。
四、性能特点
- 高效率: ZXT12N50DXTA的饱和压降最大仅为250mV，在高电流状态下（如3A）表现出优越的电效率，能量损耗较小，有助于提升系统效率。
- 高增益: 最低hFE为300，确保其在复杂电路环境中的可靠性与分配能力，能够有效放大输入信号。
- 宽广的工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，使其在各种恶劣环境中都具备稳定的性能，适应更为苛刻的应用需求。
- 小型化设计: 采用8-MSOP封装，大大减少了电路板面积的占用，符合现代电子设备对小型化、集成化的设计要求。
五、总结
ZXT12N50DXTA是Diodes Incorporated的一款性能卓越的NPN三极管，其出色的电气特性和宽广的应用范围使其成为现代电子设计中的理想选择。这款三极管凭借其高电流输出、高增益、低饱和压降和良好的温度稳定性，能够满足高效电路设计的各种需求，因此在开关电源、放大电路、信号处理及电机驱动等领域得到了广泛应用。对于寻求高可靠性和高性能解决方案的设计工程师来说，ZXT12N50DXTA无疑是一个值得信赖的选择。