STW48NM60N

STW48NM60N 产品概述

一、基本信息

STW48NM60N是一款基于金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）技术的N沟道器件，专为高电压和高功率应用而设计。它的漏源电压（Vdss）可达到600V，额定连续漏极电流（Id）为44A，能够承受较大的功率和电流，非常适合用于各种电源转换、逆变器、以及工业设备等场合。

二、关键参数

1. 漏源电压（Vdss）: 600V

   • 这使得STW48NM60N能够用于高压应用，能够轻松处理电力电子中常见的高电压环境。

2. 连续漏极电流（Id）: 44A (25°C时)

   • 该元器件在25°C的环境温度下，可以稳定输出44A的连续电流，可满足在电机驱动或其他负载中较高的电流需求。

3. 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA

   • 该阈值电压意味着该MOSFET在低栅电压下也能够迅速导通，适合低功耗控制电路。

4. 漏源导通电阻（Rds(on)）: 70毫欧 @ 20A，10V

   • 较低的导通电阻保证了MOSFET在工作时的热量产生较少，进一步提高了数据处理的效率和稳定性。

5. 最大功率耗散: 330W (Ta=25°C)

   • 其额定功率耗散能力为330W，适合高负载电路的设计，能够在瞬态情况下提供额外的电流。

6. 工作温度: 150°C（TJ）

   • 具有较高的工作温度上限，适合高温环境中的应用。

7. 栅极电荷（Qg）: 124nC @ 10V

   • 该参数表明了在开关过程中需要的栅电压驱动能力，低栅电荷有助于提高开关速度，降低开关损耗。

三、封装和安装

STW48NM60N采用TO-247封装类型，这种封装设计兼顾了散热性能及安装便利性，适于在高功率应用中使用，能有效散发产生的热量。同时其通孔安装设计能够容易与电路板连接，支持多种布局设计，方便各种应用的集成。

四、应用领域

由于其优异的电流承载能力和高电压耐受性，STW48NM60N在以下应用中特别受欢迎：

1. 电源转换器: 用于提升/降压电源、电源管理和相关转换器的设计。

2. 逆变器: 在太阳能发电和电动汽车的逆变器中，保证高效能转换和可靠性。

3. 电动机驱动: 对于各类电机驱动控制系统，由于其高电压和电流承载能力，STW48NM60N是理想的选择。

4. 工业设备: 在重负载工业设备及自动化设备中广泛应用，能够确保设备的稳定性和效率。

五、结论

STW48NM60N凭借其卓越的电气性能、较高的功率承载能力和优良的散热能力，成为现代电力电子设计中的理想选择。无论是用于通用的电源管理系统，还是用于更复杂的电动汽车和逆变器解决方案，STW48NM60N都能提供卓越的性能和高效的能量转换，为行业的不断进步和发展贡献力量。