型号:

AP9987GH

品牌:APEC(富鼎)
封装:TO-252
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
AP9987GH 产品实物图片
AP9987GH 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 34.7W 80V 15A 1个N沟道 TO-252-2
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1.59
3000+
1.51
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)90mΩ@10V,10A
功率(Pd)34.7W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18nC
输入电容(Ciss@Vds)1.57nF
反向传输电容(Crss@Vds)50pF
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:AP9987GH (APEC)

基本信息

AP9987GH 是一款由 APEC(富鼎)制造的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件具有出色的电气性能,额定功率为 34.7W,最大工作电压为 80V,最大持续电流可达 15A。其特殊的 TO-252 封装设计不仅保证了良好的散热性能,还便于在各种电子设计中实现高效集成。

主要特点

  1. 优异的电气特性: AP9987GH 的 R_DS(on)(导通电阻)参数极低,意味着在正常工作条件下,该 MOSFET 在导通状态下的功耗相对较小,从而提高了整体电源效率。此外,其快速的开关速度提升了转换效率,特别适用于开关电源和电机驱动等应用。

  2. 高耐压与大电流能力: 该器件的 80V 最大工作电压使其能够处理多种高压应用,而 15A 的持续电流能力意味着它能够驱动大功率负载,如电动机和高功率 LED 等。

  3. 优良的热管理: TO-252 封装设计使得 AP9987GH 在散热方面表现优异。该封装采用平面结构,有助于热量的有效散发,提升器件的稳定性和可靠性。这对于要求苛刻的环境条件尤其重要。

  4. 全面的应用范围: AP9987GH 适用于多种应用,涵盖了个人电子产品、消费类电子、工业控制、汽车电子以及其他各类需要高效率开关的电源管理解决方案。它特别适合用于 DC-DC 转换器、功率管理模块和电机驱动电路。

应用场景

  • 开关电源:由于其低 R_DS(on) 和高开关频率,AP9987GH 非常适合用于高效的开关电源。特别是在高频应用中,该 MOSFET 可显著降低能源损耗,提高电源的整体效率。

  • 电机控制:该 MOSFET 能够支持大电流和快速开关,特别适用于电动汽车、家电电机控制及工业用电机驱动,确保高效、平稳的运行。

  • LED 驱动器:AP9987GH 可以用作高功率 LED 驱动器,为 LED 模块提供稳定的电流和电压,从而提高照明系统的效率与使用寿命。

技术指标

  • 类型:N 沟道 MOSFET
  • 封装:TO-252
  • 最大功率:34.7W
  • 最大工作电压(V_DSS):80V
  • 最大持续电流(I_D):15A
  • 导通电阻(R_DS(on)):低(根据型号而定,可以查阅 datasheet 以获取详细信息)

总结

AP9987GH 代表了高性能 N 沟道 MOSFET 的一个优质选择,其优异的电气特性、高耐压和良好的热管理能力,使其在现代电子设计中具有广泛的应用潜力。无论是在开关电源、电机驱动还是 LED 驱动等领域,AP9987GH 都能充分展现其优势,为用户带来高效、可靠的解决方案。考虑到其综合性能和市场需求,这款 MOSFET 是追求高效电源管理和智能控制的理想选择。