型号:

STGWA30M65DF2

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-247 long leads
批次:-
包装:管装
重量:-
其他:
STGWA30M65DF2 产品实物图片
STGWA30M65DF2 一小时发货
描述:IGBT管/模块 650V 258W FS(场截止) 60A TO-247-3
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:600
商品单价
梯度内地(含税)
1+
16.29
600+
15.82
产品参数
属性参数值
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)60A
功率(Pd)258W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)2V@15V,30A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)80nC
开启延迟时间(Td(on))31.6ns
关断延迟时间(Td(off))115ns
导通损耗(Eon)0.3mJ
关断损耗(Eoff)0.96mJ
反向恢复时间(Trr)140ns
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

STGWA30M65DF2 产品概述

一、概述

STGWA30M65DF2 是一种功能强大的绝缘栅双极晶体管(IGBT),专为高效率的电能转换和电力控制应用而设计。它的封装类型为 TO-247-3,适合通孔安装,能够在高温和高电流情况下稳定运行。这种器件广泛应用于工业电源、变频器、电机驱动和其他需要高功率开关的应用场合。

二、关键参数

  1. 电流能力

    • 集电极电流 (Ic):最大承载电流为 60A,这表明该器件适合处理大功率负载。
    • 集电极脉冲电流 (Icm):在瞬态条件下,该器件能够承受高达 120A 的脉冲电流,展现出良好的瞬态响应性能。
  2. 电压能力

    • 集射极击穿电压 (Vces):最大击穿电压为 650V,有效支持高电压应用,保障设备在突发高电压情况下的安全性和可靠性。
  3. 开关特性

    • Vce(on):在 15V 的栅极驱动电压和 30A 的集电极电流条件下,Vce(on) 最大值为 2V。这表明在导通状态下,器件对电流的阻抗较低,有利于能量损失的减少。
    • 开关能量:开和关时的开关损耗分别为 300µJ 和 960µJ,代表该IGBT在切换期间的效率,有助于提升系统的整体能效。
    • 开关延迟时间:具有极短的开关延迟时间,分别为 31.6ns(开)和 115ns(关),表明其迅速响应的特性,适合高速开关应用。
  4. 热性能

    • 工作温度范围:该器件可在 -55°C 到 175°C 的环境温度范围内可靠工作,适合在极端环境条件下的应用。
    • 功率最大值:该IGBT的最大功率为 258W,满足高功率应用领域的需求。
  5. 反向恢复特性

    • 反向恢复时间 (trr):仅为 140ns,显示出良好的反向恢复特性,尤其在高频开关环境下更为突出,减少了开关损失和热效应。

三、应用领域

STGWA30M65DF2 IGBT 主要应用于如下领域:

  • 电机驱动:电动机控制系统中,IGBT 可以作为高效电源开关,控制电流流向,提高电动机的运行效率。
  • 变频器:其优异的开关特性和承载能力使其非常适用于变频器应用,尤其是在可再生能源如太阳能和风能转换中,能够有效地管理电能流动。
  • 工业电源:包括高频电源,焊接设备和其他高功率转换应用,STGWA30M65DF2 的高电流和高电压特性为这些应用提供了可靠的解决方案。

四、总结

STGWA30M65DF2 是一款高性能的 IGBT,具有卓越的电气特性、出色的温度性能和广泛的应用范围。由意法半导体(STMicroelectronics)设计制造,确保了产品的高可靠性和稳定性。无论是在电机控制、电源转换还是其他高功率应用中,该器件都能够提供高效的电流控制和能量转换,助力各类工业和消费电子应用的高效运行。其良好的开关特性和优异的热性能使其成为工程师和设计师在设计中优选的电力控制解决方案。