描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 13.6A 1个N沟道 SOIC-8
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4
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3.71
2000+
3.53
4000+
3.39
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)13.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.1mΩ@10V,13A
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)9.3nC
输入电容(Ciss@Vds)1.01nF
反向传输电容(Crss@Vds)110pF@15V
工作温度-55℃~+155℃
产品概述：IRF7821TRPBF
基本信息
IRF7821TRPBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET，特别设计用于各种中高功率应用。其主要参数包括漏源电压 (Vdss) 为 30V，连续漏极电流 (Id) 达到 13.6A，展现出优秀的电气特性和可靠性。该元器件采用表面贴装型（SMD）8-SOIC 封装，便于在现代电子电路中集成使用。
技术规格
- 漏源电压 (Vdss)：30V，适合用于低电压的开关和放大应用。
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 环境温度下，该 MOSFET 的持续漏极电流可达到 13.6A，确保在高负载条件下工作的稳定性。
- 驱动电压 (Vgs)：支持 4.5V 和 10V 驱动电压，适应多种控制信号要求。
- 导通电阻 (Rds(on))：在 10V Vgs 下，最大导通电阻为 9.1毫欧（@13A）。这意味着在电流经过MOSFET时，功率损耗极小，有效提高了效率。
- 阈值电压 (Vgs(th))：最大值为 1V (在250µA 时)，显示了该 MOSFET 对控制信号敏感，能快速响应。
- 栅极电荷 (Qg)：最大值 14nC (在 4.5V 的 Vgs 下)，表示该器件在开关过程中所需的电荷较低，适合高频应用。
- 输入电容 (Ciss)：最大值为 1010pF (在 15V 的 Vds 下)，有助于快速转变状态并提升开关效率。
- 功率耗散：最大功率耗散为 2.5W，适合高功率应用但仍保持良好的热管理。
- 工作温度范围：-55°C到155°C，广泛的温度适应性使其在严酷环境中也能稳定运行。
应用场景
IRF7821TRPBF 设计用于各种电力管理应用，包括但不限于：
- 开关电源
- 电机驱动
- DC-DC 转换器
- 工业控制系统
- 汽车电子设备
由于其较低的导通电阻和适应宽广的电压和电流范围，IRF7821TRPBF 特别适合用于高效能和高密度的电路设计。
封装与安装
该 MOSFET 采用 8-SOIC封装，宽度为 3.90mm，非常适合现代表面贴装技术 (SMT) 的设计，能够节省空间，并支持自动化的焊接过程。这种封装形式的设计使得其在电路板上能高效布置，满足更紧凑的电子产品设计需求。
品牌与供应
IRF7821TRPBF 由著名的半导体制造商英飞凌（Infineon）生产，以其可靠、高效的产品著称。英飞凌的元器件被广泛应用于电力电子行业，承诺提供高质量的产品和持续的技术支持。
总结
整体而言，IRF7821TRPBF 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET，具有优列的电气性能和热管理特性。这使得它非常适合用于各种电力和控制应用，是电子工程师在设计高效电子系统时的重要选择。无论是在汽车、工业还是消费电子领域，IRF7821TRPBF 都能提供可靠的解决方案，满足高动态性能和低功损耗的需求。