型号:

TLV3501AIDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:8-SOIC
批次:-
包装:编带
重量:0.104g
其他:
TLV3501AIDR 产品实物图片
TLV3501AIDR 一小时发货
描述:比较器 6mV 10ns 6.5mV 10pA SOP-8
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
11.24
1000+
10.41
产品参数
属性参数值
输入失调电压(Vos)6.5mV
输入偏置电流(Ib)10pA
传播延迟时间10ns
滞后电压(Vhys)6mV
共模抑制比(CMRR)70dB
工作电压1.35V~2.75V;2.7V~5.5V
输出类型推挽
输出模式TTL;CMOS
每个通道供电电流5mA
工作温度-40℃~+125℃

TLV3501AIDR 产品概述

1. 概述

TLV3501AIDR 是德州仪器 (Texas Instruments) 提供的一款高性能比对器,专为需要快速响应和低功耗的应用而设计。该器件采用小巧的 8-SOIC 封装,具备出色的电气特性和优异的工作温度范围,适合广泛的模拟信号处理场景。

2. 关键特性

  • 输出类型: TLV3501AIDR 采用 CMOS 推挽式输出,确保在满摆幅下的稳定性能。此外,它的输出兼容 TTL 逻辑电平,方便与各种数字电路相互连接。

  • 供电电压范围: 该器件支持 2.7V 到 5.5V 的单电源供电范围,也可在 ±1.35V 到 ±2.75V 的双电源条件下正常工作。这种灵活性意味着 TLV3501AIDR 可以满足多种电源架构的需求。

  • 高输入阻抗与超低偏置电流: TLV3501AIDR 的输入偏置电流最大仅为 10pA,电压输入补偿的最大值为 6.5mV。这使得它在高阻抗信号源的情况下依然能保持高精度的比较性能。

  • 快速响应: 此比对器的最大传播延迟为 10ns,确保在高速应用中能够快速反应。无论是在时钟信号、数据接收还是其他高频场景,TLV3501AIDR 都能够提供快速的响应时间。

  • 高共模抑制比 (CMRR) 和电源抑制比 (PSRR): TLV3501AIDR 的典型共模抑制比为 70dB,电源抑制比达到 100dB。高 CMRR 和 PSRR 使得该器件在复杂电源及信号环境中提供稳定的性能,能够显著抑制电源变动和共模信号对输出的影响。

  • 工作温度范围: TLV3501AIDR 支持 -40°C 至 125°C 的工作温度范围,使其适合在工业、汽车及其他恶劣环境下的应用。

3. 应用领域

TLV3501AIDR 是一种多功能组件,广泛应用于以下领域:

  • 汽车电子: 在汽车传感器或控制系统中,用于监测并比较信号。
  • 工业自动化: 适用于传感器信号处理与监控系统。
  • 消费电子: 在图像传感器及音频处理设备中使用,保障信号准确性和反应速度。
  • 通信设备: 在高速数字电路中进行时序调控与信号同步。

4. 封装与安装

TLV3501AIDR 采用了 8-SOIC 封装,具备较小的尺寸和良好的热性能,适合表面贴装安装。这种封装形式也使其能够与现代电子设备的设计需求相契合,方便与高密度电路板集成。

5. 总结

TLV3501AIDR 是一款高性能、低功耗的比较器,具有快速响应、高输入阻抗与极低的输入偏置电流,适用于各种严苛条件下的信号比较需求。无论在工业、汽车,还是消费类产品中,TLV3501AIDR 都展示了其卓越的性能和设计灵活性,为工程师提供了可靠的解决方案。选择 TLV3501AIDR,您将为您的设计增添高效、可靠的信号处理能力。