SIA910EDJ-T1-GE3

SIA910EDJ-T1-GE3 产品概述

概述

SIA910EDJ-T1-GE3 是一款高性能的 N-通道场效应管 (MOSFET)，由 威世 (VISHAY) 研发并生产，专为低功耗、高效率的电子设备应用而设计。该器件具有良好的开关性能和低导通电阻，适用于各种需要高效能和可靠性的电源管理、信号处理及其他电子系统。

主要参数

• FET 类型: 2 N-通道（双）
• 漏源电压 (Vdss): 12 V
• 最大连续漏极电流 (Id): 4.5 A @ 25°C
• 最大导通电阻 (Rds(on)): 28 mΩ @ 5.2 A, 4.5 V
• 输入阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 1 V @ 250 µA
• 栅极电荷 (Qg): 最大值 16 nC @ 8 V
• 输入电容 (Ciss): 最大值 455 pF @ 6 V
• 最大功率耗散: 7.8 W
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 封装类型: PowerPAK® SC-70-6 双
• 安装类型: 表面贴装型 (SMT)

应用场合

SIA910EDJ-T1-GE3 适用于各种应用，包括但不限于：

1. 电源转换器: 由于其较低的导通电阻和高开关速度，非常适合用于 DC-DC 转换器和开关电源。
2. 马达驱动: 在电机控制系统中，该 MOSFET 能有效进行电流管理，实现更高的效率和更长的设备寿命。
3. 信号开关: 可以用于需要高效切换的信号处理电路，提供快速响应和低功耗。
4. 负载开关: 在各种负载切换场合中，可以以低功耗实现高性能的开关控制。

性能优势

1. 低导通电阻: SIA910EDJ-T1-GE3 的最大导通电阻为仅 28 mΩ，降低了在高电流条件下的功耗，提升了转换效率，这是在电源和驱动电路中非常重要的性能指标。

2. 小型封装: 采用 PowerPAK® SC-70-6 双封装，适合高密度电子设备的设计，能有效节省PCB空间，便于设计紧凑型产品。

3. 宽工作温度范围: 该器件的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，意味着它能够在极端环境条件下稳定工作，适合多种工业及汽车应用。

4. 快速开关特性: 具有较低的栅极电荷(Qg)，使得其具有快速开关能力，适用于高频应用，进一步提高了系统的整体性能。

结论

SIA910EDJ-T1-GE3 是一款综合了高性能、低功耗和广泛应用范围的N-通道 MOSFET，凭借其优越的电气特性和高效的热管理，可以为现代电子设计提供理想的解决方案。无论是在便携式设备、家用电器还是工业设备中，SIA910EDJ-T1-GE3 都能展现出其卓越的性能和可靠性。此外，由于其小型封装和高工作温度范围，使得它在许多严苛条件下同样能稳定工作，是设计师在追求高效和可靠产品时的重要选择。