型号:

MMUN2214LT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
批次:2年内
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
MMUN2214LT1G 产品实物图片
MMUN2214LT1G 一小时发货
描述:数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存数量
库存:
652
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.106
3000+
0.084
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)246mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)8@5.0mA,10V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.4V@1.0mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)700mV@100uA,5.0V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)200mV
输入电阻10kΩ
电阻比率0.21
工作温度-55℃~+150℃

MMUN2214LT1G 产品概述

产品简介

MMUN2214LT1G是由安森美(ON Semiconductor)制造的一款高性能NPN数字晶体管,采用SOT-23封装,适用于表面贴装型(SMT)线路板设计。该晶体管具有优异的电气特性和可靠性,广泛应用于数字电路、开关应用和小信号放大器等场合。

主要规格

  • 安装类型:表面贴装型(SMD)
  • 最大集电极截止电流:500nA
  • 饱和压降(Vce):在不同的基极电流Ib和集电极电流Ic下,最大饱和压降为250mV,测试条件为300µA和10mA
  • 最大集射极击穿电压(Vceo):50V
  • 最大功率耗散:246mW
  • 直流电流增益(hFE):在10V和5mA的测试条件下,最小值为80
  • 最大集电极电流(Ic):100mA
  • 基极电阻(R1): 10 kOhms
  • 发射极电阻(R2): 47 kOhms

封装和尺寸

MMUN2214LT1G采用SOT-23-3(TO-236)封装,具有小型化的优点,使得其在空间受限的应用中尤为适合。其小巧的尺寸不仅降低了PCB的占用面积,同时也有助于提高电路的设计灵活性。

应用领域

因此,MMUN2214LT1G适合于多种应用场景,包括但不限于:

  1. 开关电源

    • 由于其较大的集电极电流和低饱和压降特性,该晶体管可以用于开关电源中的开关元件,有效提高能效。
  2. 数字电路

    • 为数字逻辑电路提供信号放大和开关功能,确保快速响应并稳定运行。
  3. 音频放大

    • 适合用于音频信号放大电路,具备较好的线性增益特性,能够处理微弱的信号。
  4. 传感器驱动电路

    • 可以用于驱动各种传感器模块,尤其是在低功耗设备中,符合绿色能源和可持续发展的要求。
  5. 电机控制

    • 在小型电机控制电路中,MMUN2214LT1G的高集电极电流和低噪声特性使其能够有效驱动电机启动和停止。

设计优势

MMUN2214LT1G的设计特别注重数字信号的处理,具备以下优势:

  • 低功耗特性:在较小的驱动电流下即可实现高效能,使其在便携式设备和电池供电的应用中尤为重要。
  • 小型化封装:相较于传统封装,SOT-23封装大大降低了单位面积的空间需求,适应了现代电子设备对小型化的需求。
  • 优良的热特性:该晶体管支持较大的功耗,具有较好的散热性能,可以在高温工作环境下正常运作。

结论

MMUN2214LT1G是功能强大且灵活的NPN数字晶体管,具备极好的电气参数和适用性,能为现代电子产品提供卓越的开关和放大能力。无论是在高效能开关电源、音频放大器还是应用于各种数字电路中,该元件都能展现出其独特的价值。其小型化、低功耗的特性,为设计工程师在开发新一代电子产品时提供了更多可能性和便利性。