型号:

MJD45H11T4

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-252-3
批次:2年内
包装:编带
重量:0.7g
其他:
MJD45H11T4 产品实物图片
MJD45H11T4 一小时发货
描述:三极管(BJT) 20W 80V 8A PNP DPAK
库存数量
库存:
2736
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.16
100+
1.66
1250+
1.45
2500+
1.38
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)8A
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)20W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)40@4A,1V
集电极截止电流(Icbo)10uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)1V@8A,0.4A
工作温度-55℃~+150℃

MJD45H11T4 产品概述

一、产品背景

MJD45H11T4 是由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能PNP型双极性晶体管。作为一种表面贴装型设备,该产品在电源管理、开关电路和信号放大等应用中展现出优越的性能特征。其出色的电气参数以及耐高温特性使其成为众多电子设计项目的首选元件。

二、主要参数

  1. 电气特性

    • 器件类型:PNP
    • 集电极电流 (Ic):最大值为8A,能够处理高电流负载的要求。
    • 饱和压降 (Vce(sat)):在400mA和8A的工作条件下,最大饱和压降为1V。这表明,在高电流下,MJD45H11T4 保持较低的功耗,有助于提高系统的整体效率。
    • 电流增益 (hFE):最小直流电流增益为40,在4A和1V的工作条件下,足以保证稳定的放大特性。
    • 集电极截止电流 (Icbo):在最大值为10µA,非常适合高精度应用,确保在关断状态下控制电流损耗。
    • 电压 - 集射极击穿 (V(BR)ce):最大值为80V,能够适应多种高电压应用,增强了系统的承受能力。
  2. 热性能

    • 工作温度:能够在150°C的环境温度下正常运行,适用于高温和高功率密度的应用场景,确保在苛刻条件下的可靠性。
  3. 功耗

    • 最大功率 (P_total):为20W,能够满足高功率电路的需求,同时凭借良好的散热能力,延长了器件的使用寿命。

三、封装信息

MJD45H11T4采用TO-252-3(DPAK)封装,这是一种广泛应用于现代电子产品中的表面贴装型封装。其具有良好的散热性能和紧凑的设计,适合自动贴片生产工艺。封装设计还提供了较好的抗震动性能,确保在各种工作环境下的稳定性。

四、应用领域

MJD45H11T4的应用范围相当广泛,涵盖了多个电子领域,包括但不限于:

  • 电源开关:可用于各种电源管理电路,支持高电流和高压的应用。
  • 信号放大:作为信号放大器使用时,能够维持较高的增益特性,适合音频和射频信号放大。
  • 家电产品:在家电中的开关控制系统如灯光控制、马达驱动等方面均有良好的应用效果。
  • 自动控制系统:在工业自动化和控制系统中,MJD45H11T4能够有效地提供稳定的驱动信号。

五、总结

MJD45H11T4是一款高性能的PNP型三极管,凭借其卓越的电气性能、热稳定性和适用广泛的封装设计,成为电子设计人员的理想选择。无论是在电源管理、信号放大还是不同工业应用中,MJD45H11T4都能够满足严苛的性能要求。使用该元件可以有效提升电路的效率和可靠性,是现代电子产品中的重要组成部分。