FQD12N20LTM

产品概述：FQD12N20LTM

基本信息 FQD12N20LTM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，具有优秀的电气特性和广泛的应用适应能力。该器件采用 D-Pak（TO-252-3）封装，设计用于高压和高电流的开关应用。

电气特性 FQD12N20LTM 的关键参数包括漏源电压（Vdss）高达 200V，以及在持续工作条件下 25°C 时的最大漏极电流（Id）达到 9A。这使得该 MOSFET 在高电压和高电流环境下都能稳定工作，极大地提升了其应用灵活性。

此外，驱动电压的特性也非常出色。在最大 Rds On 下，器件在 5V 和 10V 的驱动电压下仍能保持良好的导通性能。这为工程师在设计电路时提供了更大的灵活性，允许其与多种驱动电路兼容。

导通电阻和阈值电压 FQD12N20LTM 在不同的 Id 和 Vgs 条件下显示出优秀的导通电阻表现。特别是，当漏极电流 Id 为 4.5A 时，导通电阻最大值为 280 毫欧。这意味着该 MOSFET 在开关操作时能够保持较低的功率损耗，符合高效能电源设计的要求。此外，器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 2V @ 250μA，适合低电压驱动条件下使用。

在栅极电荷（Qg）方面，FQD12N20LTM 在 5V 下的最大值为 21nC，这指示了该器件的快速开关能力，这对于高频应用尤为重要。

功率和热管理 该 MOSFET 的功率耗散能力非常出色：在环境温度（Ta）下最大功率耗散为 2.5W，而在结温（Tc）下可达到 55W。这种设计能够有效管理器件的热量，确保在负载高、温度变化大的环境下维持稳定工作。

工作温度范围 FQD12N20LTM 的工作温度范围极广，达到 -55°C 至 150°C（TJ），这使得它非常适合于严苛环境下工作，如汽车电子和工业控制等应用。

安装和封装 该器件采用表面贴装型（SMD），符合现代电子产品对于空间和轻量化的要求。D-Pak（TO-252-3）封装设计具有良好的散热性能，能够有效降低在运行中产生的热量，从而提高器件的稳定性与寿命。

应用场景 FQD12N20LTM 极其适合各种高效能电源开关、DC-DC 转换器、马达驱动以及其他需要高电压和电流功率管理的应用。在电动汽车、工业自动化、消费电子和新能源设备等领域都有着广泛的应用潜力。

总结 综上所述，FQD12N20LTM 作为一款高品质的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性、良好的功率处理能力和广泛的工作温度范围，能够满足多种行业需求并在不同工作条件下提供可靠的性能。其出色的导通电阻、快速开关能力和高电压承受能力，使其成为高效电源和驱动电路设计的理想选择。凭借安森美的品牌背景和可靠性，FQD12N20LTM 将在市场中占据一席之地，成为工程师心目中的首选元件。