FQP10N20C

FQP10N20C 产品概述

概述

FQP10N20C是一款由ON Semiconductor制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高电压和高电流应用设计。其具有卓越的导电能力和高效能，适合多种电子电路应用，如电源管理、直流-直流转换器、马达驱动以及其他功率调节需求。

关键参数

FQP10N20C的核心参数如下：

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: QFET®
• 封装类型: TO-220-3
• 零件状态: 有源
• 电流承载能力 (Id): 连续漏极电流为9.5A（在Tc=25°C时）
• 漏源电压 (Vdss): 200V，适合高电压应用
• 导通电阻 (Rds(on)): 在10V的栅极驱动下，最大导通电阻为360毫欧（在4.75A电流时测量）
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大为4V（在250µA电流测试时）
• 工作温度范围: -55°C至150°C，确保在极端条件下的稳定工作
• 功率耗散: 最大功率耗散长期运行下为72W
• 驱动电压: 最大栅源电压为±30V
• 栅极电荷 (Qg): 26nC（在10V时）
• 输入电容 (Ciss): 510pF（在25V时）

应用领域

FQP10N20C可广泛用于多种电子设备和电路设计中，尤其在以下应用场景中表现优良：

1. 电源管理: 在DC-DC转化器和电源开关中，FQP10N20C可高效控制功率输出，保证系统的低损耗工作。
2. 马达驱动: 适合用于直流电动机的驱动电路，通过其高电流承载能力，能够有效驱动各类电机，提供强大的动力支持。
3. 开关电源: 作为开关元件使用时，配合其他辅助电路，可以实现高效、可靠的开关电源解决方案。
4. 照明控制: 在LED驱动或调光电路中，FQP10N20C能够提供稳定的电流控制，从而实现高效的照明系统。
5. 电流放大电路: 由于其良好的导电性能，适合用于需要高电流放大的电路设计。

性能优势

FQP10N20C的几个性能优势使其在市场中脱颖而出：

• 高电压承受能力: 200V的漏源电压使其能够轻松适应高电压工作环境。
• 低导通电阻: 低Rds(on)特性保证了更低的能量损耗，提高系统效率。
• 广泛的工作温度范围: -55°C至150°C的工作温度范围，确保在各种极端环境下都能稳定工作。
• 高功率处理能力: 最大72W的功率耗散能力使其在高功率应用中更为可靠。

封装与安装

FQP10N20C采用通孔封装TO-220-3，这种封装形式易于散热，且安装方便，适合于各种PCB板的应用。

结论

FQP10N20C是一个非常可靠且高效的N沟道MOSFET解决方案，其在高电流和高电压的应用场合表现优异。凭借着其出色的电子性能和耐用性，它为工程师与设计师提供了一个理想的选择，能够满足现代电子设备对性能和效率的严苛要求。无论是在电源应用、马达驱动还是其他高功率场合，FQP10N20C都能够有效地满足应用需求，助力实现高效而稳定的电力管理解决方案。