CSD18563Q5A

CSD18563Q5A 产品概述

产品简介

CSD18563Q5A 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由著名的电子元件制造商德州仪器（TI）生产。此款器件专为高效能的电源管理应用而设计，具有优异的导通电阻、低栅极电荷特性以及宽广的工作温度范围，适合多种工业和消费电子领域中的功率转换和处理。

主要参数

• 安装类型: 表面贴装型
• 封装形式: 8-VSONP（5x6 mm）
• 电流规格: 在25°C环境温度下，CSD18563Q5A 的连续漏极电流（Id）为100A。这使其在高功率应用中表现优越。
• 漏源电压: 器件的漏源耐压为60V，提供了良好的电压支持，适用于多种电源管理方案。
• 导通电阻: 在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）的最大值为6.8mΩ @ 18A，极低的导通电阻意味着在大电流通过时，功耗极小，有助于提高系统的整体效率。
• 输入电容: 最大输入电容（Ciss）为1500pF @ 30V，此参数指示器件在操作期间的输入特性，对高速开关应用尤为重要。
• 栅极驱动电压: 器件支持的栅极驱动电压范围为4.5V到10V，意味着在多种可用驱动条件下都能保证稳定工作。
• 栅极电荷: 最大栅极电荷（Qg）为20nC @ 10V，为系统的开关速度提供支持，适合高频率应用。
• 温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围宽，从-55°C 到 150°C，能够在各种极端环境下稳定工作，这使其在汽车、工业控制和航空航天等领域具有广泛的应用潜力。
• 功率耗散: 器件最大功率耗散为3.2W（在 Ta 环境温度下）和116W（在 Tc 封装温度下），确保其在高功率环境下运行不会过热。

应用场景

CSD18563Q5A 的高效能及可靠性使其在多个应用中表现突出，包括但不限于：

• 开关电源: 该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器，提供高效的电源转换，支持现代电子设备对功率效率的需求。
• 电动汽车/混合动力汽车: 由于其高电流承载能力及优异的热性能，CSD18563Q5A 非常适合用于电动和混合动力汽车的电源管理系统中。
• 电机驱动: 在电机驱动应用中，快速开关和低导通损耗可显著提升驱动效率和热稳定性。
• 消费电子: 使用在笔记本电脑、平板电脑及其他移动设备的电源管理模块中，以提高整体的续航能力。

总结

总的来说，CSD18563Q5A 是一款融合了高电流承载能力、低导通电阻及宽工作温度范围的 N 通道 MOSFET。由德州仪器制造，产品质量可靠，适用于多种现代电源管理及驱动应用。随着电子行业对低功耗和高效能的不断追求，CSD18563Q5A 将持续发挥其关键作用，为各类电气设备提供出色的性能支持。