型号：
BSC014N04LSIATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TDSON-8FL
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：New 40V and 60V product families, feature not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behavior for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g ) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology.
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
9.54
100+
8.29
1250+
7.54
2500+
7.25
5000+
7.01
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)31A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.45 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）55nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）4000pF @ 20V
功率耗散（最大值）2.5W（Ta），96W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TDSON-8 FL
封装/外壳8-PowerTDFN
产品概述：BSC014N04LSIATMA1
BSC014N04LSIATMA1 是由英飞凌（Infineon）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，专为各类快速开关应用而设计。该器件整合了多项先进技术，其关键性能参数使其在现代电子设计中，相较于传统MOSFET产品具备显著的优势，特别是在降低导通电阻和优化开关特性方面。
主要参数与规格
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
漏源电压 (Vdss)：40V
25°C 时的连续漏极电流 (Id)：
- 31A（环境温度下，Ta）
- 100A（冷却温度下，Tc）
驱动电压：
- 最大 Rds On 时的最小栅极电压 (Vgs)：4.5V
- 最大 Rds On 时的最大栅极电压 (Vgs)：10V
导通电阻 (Rds(on))：
- 最大值为 1.45 毫欧，条件为 50A，10V
栅极阈值电压 (Vgs(th))：
- 最大值为 2V，测试条件为 250µA
栅极电荷 (Qg)：
- 最大值为 55nC，条件为 10V
输入电容 (Ciss)：
- 最大值为 4000pF，条件为 20V
功率耗散 (Pd)：
- 最大值为 2.5W（Ta）
- 最大值为 96W（Tc）
工作温度范围：
- 从 -55°C 到 150°C（结温，TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：PG-TDSON-8 FL
封装/外壳：8-PowerTDFN
性能优势
BSC014N04LSIATMA1 以其极低的导通电阻（R DS(on)）和优良的切换性能，非常适合高效率的电源管理与电机驱动应用。其导通电阻的低值使设备在高负载条件下的功耗显著降低，这对于延长电池寿命及提升系统整体效能尤其重要。同时，器件的快速开关特性为高频率操作提供了强大支持，尤其适用于开关电源、DC-DC 转换器和其他需要快速响应的电路设计。
应用场景
由于其优越的特性，BSC014N04LSIATMA1 适合广泛的应用场景，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电动工具电源管理
- 逆变器及电机驱动
- 通信设备中的电源转换
结论
总的来说，BSC014N04LSIATMA1 是一款强大的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气性能和高度的可靠性，成为高效能电子设计的重要选择。其低导通电阻、优异的切换性能，以及广泛的应用灵活性，使其在现代电子设备中成为一个理想的解决方案。无论是在要求严格的工业应用还是在消费类电子产品领域，该器件均能为设计工程师提供优质的性能支持。