型号:

AONR62818

品牌:AOS
封装:DFN3.3x3.3-8L
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
AONR62818 产品实物图片
AONR62818 一小时发货
描述:Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 41A; 21.5W; DFN3.3x3.3
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.29
3000+
3.16
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.6mΩ@10V,50A
功率(Pd)54W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)48nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.42nF@40V
反向传输电容(Crss@Vds)15pF@40V
工作温度-55℃~+150℃

AONR62818 产品概述

概述

AONR62818 是由 AOS(Alpha & Omega Semiconductor)公司推出的一款高性能 N-MOSFET,封装形式为 DFN3.3x3.3,具有优异的电气性能,专为高功率和高效率的应用场景而设计。这款产品在电源管理、DC-DC 转换、马达驱动等领域表现出色,有助于实现高效的能量传输与转换。

技术规格

  • 类型: N-MOSFET(单极性场效应管)
  • 耐压: 80V
  • 连续漏电流: 41A
  • 功率耗散: 21.5W
  • 封装规格: DFN3.3x3.3-8L

这些关键参数使得 AONR62818 能够在高压和高电流的应用场合下稳定运行,确保系统的可靠性。

应用场景

AONR62818 适用于多种应用场景,包括但不限于:

  1. DC-DC 转换器: 本器件可用作开关元件,在电源的转换过程中提高效率,降低开关损耗,以满足高效率电源设计的需求。

  2. 电源管理: 在数据中心和通信设备中,AONR62818 可用于高效的电源管理系统,提升功率因数和降低整体能耗。

  3. 马达驱动: 该MOSFET可用于电机驱动电路中,提供强大的开关能力与电流承载能力,适用于各种电动机械设备。

  4. LED 驱动: 适合用于 LED 显示屏和照明系统的驱动电路,为高亮度和长寿命的应用提供支持。

性能优势

  1. 高功率处理能力: AONR62818 能够在高达 41A 的连续漏电流条件下正常工作,适合需要大电流处理的应用。

  2. 低导通电阻: 该MOSFET具有较低的导通电阻 (RDS(on)),这有助于降低功率损耗,减少热量生成,从而提高系统的整体能效。

  3. 良好的热性能: 高功率耗散能力(21.5W)使得此元件在高负载情况下依然能够保持适宜的温度运行,确保了设备的长期稳定性。

  4. 紧凑的封装设计: DFN3.3x3.3 封装不仅节省空间,还提供了更好的热管理性能,有利于高密度设计。

结论

总之,AONR62818 是一款具有卓越性能和广泛应用范围的 N-MOSFET,特别适合用于需要高效电源转换与管理的现代电子产品中。凭借其高耐压能力和良好的热性能,它为设计工程师提供了极大的灵活性,实现高效、可靠的电路设计。无论是在消费电子、电信设备还是工业控制系统中,AONR62818 都能为多种应用提供强大的支持。