型号:

AON7566

品牌:AOS
封装:DFN3x3-8L
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
AON7566 产品实物图片
AON7566 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 30W 30V 34A 1个N沟道 DFN-8-EP(3x3)
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.83
5000+
5.64
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)34A
导通电阻(RDS(on))3.7mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
输入电容(Ciss)3.02nF@15V
反向传输电容(Crss)280pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

AON7566 产品概述

AON7566是一款高性能的N沟道MOSFET,专为各种功率管理和开关应用而设计。该器件的封装为DFN-8-EP(3x3),在小尺寸的基础上,提供了出色的散热性能和电流承载能力,适用于需要高效能、紧凑设计的现代电子产品。以下是关于AON7566的一些关键特性和应用说明。

1. 主要参数

  • 额定功率:30W
  • 最大漏源电压:30V
  • 最大漏电流:34A
  • 封装类型:DFN3x3-8L(带衬底EP)

AON7566的设计使其能够在宽广的工作环境中提供稳定的性能,适合各种电源管理、电动机驱动和信号开关场合。

2. 特性

  • 高输入阻抗:MOSFET设计中的一个显著特点是其高输入阻抗,这使得AON7566在驱动电路(如微控制器或逻辑电平信号)时能有效降低负载。

  • 低导通电阻:AON7566具有非常低的RDS(ON)值,能够显著降低在高电流操作时的功耗和热量发散,提升整体系统效率。

  • 快速开关速度:该器件能够以高频率进行切换,从而适应高效开关电源和其他需要快速反应的应用。这使得其在动态应用中表现优异。

3. 散热与封装

DFN3x3-8L封装设计有助于提高散热性能。衬底的热扩散层有效地降低了工作温度,延长了产品的使用寿命。在高功率应用中,合适的散热设计可以减少因过热而导致的器件损坏风险。

4. 应用场景

AON7566广泛适用于多个领域,具体包括但不限于:

  • 开关电源:在电源转换器、稳压器和DC-DC转换器中用于高频开关,有助于实现高效能转换。

  • 电动机驱动:特别适合在电动机控制系统中用作开关元件,能够处理高电流需求。

  • LED驱动:在照明系统中作为开关控制器,提高驱动效率并延长LED寿命。

  • 电池管理系统:在电动车或可再生能源系统中,管理和控制电池的充放电过程。

5. 购买和支持

AON7566的可靠性和高性能使其成为市场上众多电源管理解决方案理想的选择。用户可以通过AOS授权代理商和分销商获取此产品的详细技术规格表、数据手册和应用笔记,以确保在自己的设计中得到最佳的性能。

6. 结论

AON7566是一个出色的N沟道MOSFET,其优良的电气特性和紧凑的封装设计,使其在各种高效能应用中表现突出。随着电子元件向更小、更高效的方向发展,AON7566凭借其优越的性能,势必会在未来的电子产品中扮演重要角色。选择AON7566,不仅能提高产品的效率和稳定性,还能助力开发出更加环保和节能的解决方案。