型号:

AO4425

品牌:AOS
封装:SOIC-8L
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
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AO4425 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 38V 14A 1个P沟道 SOIC-8
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.53
3000+
3.39
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)38V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10mΩ@20V,14A
功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)63nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.8nF
反向传输电容(Crss@Vds)350pF
工作温度-55℃~+150℃

AO4425 产品概述

产品概述

AO4425 是一款高性能 P 沟道 MOSFET(场效应管),专为高效率电源管理和开关应用而设计。采用表面贴装型 SOIC-8L 封装,这款 MOSFET 结合了优异的导通电阻和出色的热性能,使其在许多现代电子产品中成为理想选择。

主要规格及特点

  1. 型号与品牌: AO4425 由 AOS 公司制造,享有良好的市场声誉,广泛应用于各种电子设备中。

  2. 安装类型: AO4425 采用表面贴装型(SMD),适合于自动化焊接工艺,有助于提高生产效率并减少安装空间。

  3. 导通电阻 (Rds(on)): 在 14A 和 20V 的条件下,最大导通电阻为 10 毫欧。这意味着在高电流情况下,MOSFET 的能量损耗较低,从而提高了整体效率。

  4. 连续漏极电流 (Id): AO4425 可以承载连续的漏极电流高达 14A(Ta),适合处理大功率负载。

  5. 漏源电压 (Vdss): 该器件的最大漏源电压为 38V,使其在多种直流电源与开关应用中运作自如。

  6. 门极到源极电压 (Vgs): AO4425 的最大 Vgs 为 ±25V,提供了灵活的驱动电压范围,非常适合在各种电压环境中工作。

  7. 输入电容 (Ciss): 最大输入电容 Ciss 为 3800pF,在 20V 下测得。这种特性确保了快速的开关响应,有助于提升设计的工作效率。

  8. 栅极电荷 (Qg): MOSFET 在 10V 输入条件下,栅极电荷最大为 63nC。这一特性直接影响开关速度和驱动电路的设计要求。

  9. 阈值电压 (Vgs(th)): AO4425 的最大阈值电压 (Vgs(th)) 为 3.5V @ 250µA,确保在较低的栅极电压下就能有效导通,提高了控制系统的灵活性。

  10. 功率耗散: 最大功率耗散为 3.1W(Ta),为系统设计提供良好的热管理性能,确保器件在高负载情况下依然稳定工作。

  11. 工作温度范围: AO4425 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,适应恶劣环境的能力,使其适合在工业、汽车及消费电子产品等多样化应用中。

应用场景

AO4425 适用于众多应用场景,包括但不限于:

  • 电源管理电路,如 DC-DC 转换器、直流电源稳压器和开关电源。
  • 电动机驱动电路,在需要高效能和低功耗情况下的电动机控制。
  • 电池供电设备中的高效开关,尤其是在要求高电流和小体积的便携式设备中。
  • 各类高频功率放大器电路,能有效处理信号放大。
  • 各种开关应用,如继电器驱动、灯光控制和家用电器中的电源切换。

总结

AO4425 P 沟道 MOSFET 是一款兼具高效能和灵活性的电子元件,因其优秀的电气特性和较宽的工作环境适应性而受到设计工程师的青睐。无论是用于电源管理、开关电路还是更复杂的应用场景,AO4425 都能展现出卓越的性能,为最终产品的可靠性和效率提供保障。此款 MOSFET 的集成功能与高效特性,确保了其在现代电子设备中发挥着不可或缺的作用。