RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB 产品概述

概述

RQ3G100GNTB是一款由知名半导体制造商ROHM（罗姆）推出的N沟道MOSFET（场效应晶体管），旨在满足现代电子应用对高效能和高可靠性的需求。该器件结合了高电流容量和低导通电阻特性，使其在各种功率管理、电源转换以及开关应用中表现出色。

核心参数

RQ3G100GNTB的基本参数包括：

• FET类型：N沟道
• 技术：MOSFET（医疗金属氧化物半导体）
• 漏源电压（Vdss）：40V，适应于大多数中高压应用
• 最大连续漏极电流（Id）：10A，适合需要较大电流处理的场合
• 驱动电压：支持4.5V和10V的操作，以提高开关速度和效率
• 导通电阻（Rds On）：在10V条件下，最大值为14.3毫欧，这使得其在导通状态下损耗降到最低
• 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为2.5V，在较低的栅极电压下即可正常工作
• 栅极电荷（Qg）：最大值为8.4nC，表示其在驱动时允许快速开关，减少了开关损耗
• 功率耗散（Pd）：最大值为2W，适合大部分常规功率应用

操作条件和环境

RQ3G100GNTB的操作温度范围高达150°C（TJ），使其适用于严苛的工业和汽车应用。同时，其输入电容Ciss在20V时最大为615pF，保证了高频应用中低的输入噪声与良好的开关特性。

封装与安装

该MOSFET采用8-HSMT（3.2x3.2mm）表面贴装型封装，紧凑且易于集成。这种封装设计优化了热管理，确保器件在高功率和高温环境下的稳定性。它的尺寸和低轮廓使其非常适合空间受限的应用。

应用场景

RQ3G100GNTB的设计使其非常适合多种应用场景，包括但不限于：

• 开关电源：广泛应用于电源适配器、LED驱动器和工业电源模块，通过高效转换降低损耗。
• 电机驱动：在电动机控制中提供高效开关，提升电机的效率和控制精度。
• 电池管理系统：高电流容量和较低的Rds On使其在电池充放电和监控应用中表现优越。
• 汽车电子：由于其超高的工作温度和可靠性，可以在电动汽车和混合动力汽车中使用，确保系统在恶劣环境下的稳定工作。

总结

RQ3G100GNTB是一款性能卓越的N沟道MOSFET，凭借其高电流容量、低导通电阻和宽工作温度范围，成为现代电子设计的理想选择。ROHM品牌的坚实基础和优秀的产品质量，进一步增强了RQ3G100GNTB在各种应用场景中的吸引力。无论是在功率转换、电机驱动还是电池管理系统中，该MOSFET都能提供可靠的性能和优异的能效，助力电子产品的高效运行。