型号:

STB75NF20

品牌:ST(意法半导体)
封装:D2PAK
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
STB75NF20 产品实物图片
STB75NF20 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 190W 200V 75A 1个N沟道 D2PAK
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最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
20.87
1000+
20.34
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)34mΩ@37A,10V
功率(Pd)190W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)84nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.26nF@25V
工作温度-50℃~+150℃@(Tj)

STB75NF20 产品概述

STB75NF20是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。这款MOSFET的设计目标是满足高电力和高效率应用的需求,特别适合用于开关电源、直流-直流转换器、高频开关电路等场合。以下是该产品的详细参数以及应用场景的介绍。

主要特性

  1. 电源规格: STB75NF20具有较高的漏源电压(Vdss)为200V,使其能够处理高电压应用,在电力电子领域表现优异。该元件的连续漏极电流(Id)高达75A,在保持高性能的同时,能够有效降低电路中的电源损耗。

  2. 电阻特性: 在Vgs(栅源电压)为10V和漏极电流为37A时,STB75NF20的导通电阻(Rds On)最大值为34毫欧。这意味着在实际应用中,元器件能够以较低的开关损耗运行,提升系统整体效率。

  3. 驱动电压范围: 该MOSFET的Vgs(栅源电压)最大值为±20V,使其在广泛的应用中保持了良好的兼容性和稳定性。Vgs(th)(阈值电压)最大值为4V(@250µA),允许其灵活地被驱动,从而适应多种控制信号。

  4. 电容特性: STB75NF20在25V时的输入电容(Ciss)为3260pF,这表明其在高频应用中具有很好的表现能力,同时也有助于提升高速开关的响应能力。

  5. 功率和温度稳定性: 整个封装的功率耗散能力达到190W(在Tc条件下),保证了其在高功率应用中的安全性和稳定性。此外,该元件的工作温度范围为-50°C至150°C,适合极端环境下的使用,如汽车电子和工业自动化领域。

  6. 封装类型: STB75NF20采用D2PAK(TO-263-3)封装,这种表面贴装型封装不仅提供了优良的散热性能,还具有轻巧、体积小的优点,适应现代电子设备对尺寸的严格要求。

应用领域

STB75NF20在许多应用中表现良好,其主要应用领域包括但不限于:

  • 开关电源:高效能的开关电源是现代电力管理系统的核心,该MOSFET通过减少开关损耗有助于提升内部效率。

  • 直流-直流转换器:可应用于多种电压转换需求,对应不同的电池和配件,使其在便携式设备和电源管理系统中得以广泛应用。

  • 电动汽车驱动系统:在电动汽车中,STB75NF20可以用于电动机驱动和动力管理,以优化电池的使用效率和延长续航。

  • 工业控制设备:在工业自动化和控制设备中,MOSFET的高耐压特性及强大电流处理能力使得其成为优先选择。

  • 家用电器:现代家电中集成了更多电子控制和开关电源,STB75NF20的可靠性和性能能够满足这些直接电源控制的需求。

总结

综合来看,STB75NF20是一款适合高性能、高效率且兼容性强的N沟道MOSFET,凭借其出色的电气特性、广泛的应用范围及优良的封装设计,使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是用于电源管理、工业控制,还是在极限环境下,其高可靠性都能够满足设计者对电子元器件的苛刻要求。