描述：场效应管(MOSFET) 260mW；1.1W 30V 180mA 1个N沟道 SOT-323-3
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)180mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5Ω@10V,100mA
功率(Pd)260mW；1.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)440pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)13pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
产品概述：NX3020NAKW,115
一、产品背景
NX3020NAKW,115 是一款由 Nexperia（安世）公司生产的 N 沟道 MOSFET（场效应晶体管），针对广泛的应用需求而设计，性能可靠，具有较高的功率处理能力和较低的导通电阻。该产品采用 SOT-323 封装，十分适合于空间受限的电子设备，为设计师提供了一种优质的选择用于开关和放大电路。
二、主要技术参数
漏源电压（Vdss）：30V
- 该参数表示器件允许承受的最大漏源电压，适用于低至中压的应用场景。
连续漏极电流（Id）：180mA （25°C 时）
- 该 MOSFET 能够在环境温度为 25°C 时连续承载 180mA 的电流，适用于多种电路负载设计。
栅源电压阈值（Vgs(th)）：1.5V @ 250µA
- 该阈值电压较低，意味着 MOSFET 在较低的电压下就能被打开，能够有效支持低功耗应用。
漏源导通电阻（Rds(on)）：4.5Ω @ 100mA, 10V
- 这个参数反映了在开启状态时，漏源间的电阻值，较低的导通电阻能够降低功率损耗，提高系统效率。
功率耗散（Pd）：260mW （Ta=25°C），1.1W （Tc）
- 最大功率耗散能力使其能够在较高温度下继续稳定工作，适合高温环境下的应用。
工作温度：-55°C ~ 150°C
- 具有广泛的工作温度范围，可以在极端环境下正常运行。
栅极电荷（Qg）：0.44nC @ 4.5V
- 低栅极电荷值使其在切换时具有很高的速度，适用于高频开关应用。
输入电容（Ciss）：13pF @ 10V
- 较低的输入电容量减少了驱动信号的延迟，提升了电路的响应速度。
三、封装与安装信息
NX3020NAKW,115 采用 SOT-323 封装，尺寸小，便于表面贴装。此封装类型非常适合高密度的 PCB 设计，使其在有限的空间中也能实现高效的电源管理。
四、应用场景
NX3020NAKW,115 由于其优异的电气性能，非常适合应用于：
- 移动设备和便携式电子产品
- 电池管理、功率放大器和开关电源
- LED 驱动电路
- 消费电子的低功耗开关电路
- 信号转换和放大应用
五、总结
NX3020NAKW,115 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET，其低导通电阻、高功率耗散能力和广泛的工作温度范围使其成为多种电子产品应用中的理想选择。无论是在低功耗设计还是在需要高稳定性的严苛环境中，它都能提供卓越的性能。同时，SOT-323 封装提供了空间上的便捷，适用于多种应用场景。
选择 NX3020NAKW,115，将为您的电子设计带来更强劲的性能和更高的可靠性，是现代电子设计中的优秀选择。