WNM3013-3/TR

产品概述：WNM3013-3/TR N沟道MOSFET

一、引言

在现代电子设备中，场效应管（MOSFET）作为一种重要的开关和放大元件，广泛应用于功率管理、信号调理、开关电源和自动化控制等场合。本产品WNM3013-3/TR是由WILLSEMI（韦尔）公司生产的一款高性能 N沟道 MOSFET，具有380mW的功率处理能力，50V的击穿电压和250mA的漏电流，采用SOT-723封装，极具市场竞争力。

二、基本规格

• 产品名称：WNM3013-3/TR
• 类型：N沟道MOSFET
• 最大功率：380mW
• 最大漏电压：50V
• 最大漏电流：250mA
• 封装类型：SOT-723
• 品牌：WILLSEMI（韦尔）

三、产品特性

1. 高功率处理能力 WNM3013-3/TR能够支持高达380mW的功率处理，这使得其在各种应用中都能实现高效工作，包括开关电源、LED驱动等。

2. 较高的击穿电压 最大漏电压达到50V，使得该MOSFET适用于较高电压的应用场合，同时提高了系统的可靠性和安全性，避免元件在过电压工作时发生击穿。

3. 适中的漏电流 250mA的最大漏电流适用于大多数低功率管理场合，支持较高的开关频率下的工作，满足了客户对效率与性能的兼顾要求。

4. 小型封装（SOT-723） SOT-723封装使得WNM3013-3/TR非常适合于小型化设计的电子产品，如便携设备、消费电子、工业控制等，有助于节省PCB空间并简化电路设计。

5. 高效的开关特性 作为N沟道MOSFET，WNM3013-3/TR在通态导通时具有较低的导通电阻，能够有效提升开关效率，减少功耗。这一点在高频开关应用中尤为重要。

四、应用场景

WNM3013-3/TR的特性使其适应了多种应用场景，包括但不限于：

• 开关电源：可作为主开关元件，提供高效、稳定的电源输出；
• LED驱动电路：适合用于LED照明的开关与调光控制，实现高效驱动；
• 电机控制：在小功率直流电机控制中，可作为开关元件实现 PWM 控制；
• 移动设备：在智能手机、平板电脑等便携设备中，由于其小型封装和高效性能，非常适合用于电源管理电路；
• 消费电子产品：在各种消费电子中，实现高效、紧凑的功率调节。

五、总结

WNM3013-3/TR N沟道MOSFET是WILLSEMI公司推出的一款高性价比电子元件，凭借其380mW的功率处理能力、50V的击穿电压、250mA的漏电流及小巧的SOT-723封装，满足了现代电子产品对高效率、小尺寸的设计需求。无论是开关电源、LED驱动还是移动设备等广泛应用场景，这款产品都表现出优越的性能和可靠性，必将成为设计工程师的优选元件。