T835H-6G-TR

产品概述：T835H-6G-TR 双向可控硅

基本信息

T835H-6G-TR 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的双向可控硅，旨在满足各种高电压和高电流应用的需求。它具有额定断态电压为600V，最大通态电流为8A，非常适合用于交流电源控制、逆变器、相位控制和电动机控制等场景。

关键参数

1. 电压参数：

   • 断态电压：600V，适合高电压应用。
   • 栅极触发电压 (Vgt)：最大1V，确保栅极能够在低电压下顺利导通。

2. 电流参数：

   • 通态电流 (It)：最大8A，保证能够传输足够的电流，适应负载需求。
   • 非重复浪涌电流 (Itsm)：50、60Hz模式下最大80A和84A的浪涌能力，有助于承受瞬态过载。
   • 栅极触发电流 (Igt)：最大35mA，确保栅极能够快速导通。
   • 保持电流 (Ih)：最高35mA，确保在导通状态下保持稳定工作。

3. 工作温度：

   • 可在-40°C到150°C的宽广温度范围内工作，适用于各种恶劣环境。

4. 封装：

   • T835H-6G-TR采用D2PAK封装，具有优良的散热性能，适合表面贴装 (SMD) 解决方案。这种封装能够有效降低器件工作温度，从而提高系统的可靠性与寿命。

应用场景

T835H-6G-TR 双向可控硅主要应用于以下几个领域：

• 电源控制：能够用于调节和控制电源的开关，适合于电源适配器和开关电源设计。
• 电动机控制：在电动机启动和速度控制中发挥作用，特别适合交流电动机及其他感性负载的控制。
• 家电产品：广泛应用于调光器、加热器和风扇控制器等家电产品中。
• 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的电力转换应用中常被选用，以实现高效的电能转换。

竞争优势

T835H-6G-TR的设计和性能使其在市场中具备以下竞争优势：

• 低导通电压：降低了能量损耗，提高了系统的整体能效。
• 高浪涌能力：可承受短时间内的大电流冲击，增加了系统的抗干扰能力和稳定性。
• 宽广的工作温度范围：不论是在低温还是高温环境下，均能保持优异性能，延长产品使用寿命。
• 表面贴装特性：适配现代电子设备设计，简化了自动化生产流程，降低了装配成本。

结论

综上所述，T835H-6G-TR 双向可控硅凭借其优良的性能参数和广泛的应用适应性，成为现代电子设计中一种极具价值的元件。适合于家电、自动化设备和电力控制等诸多领域，满足了市场对高效、可靠电力控制的需求。选择意法半导体的T835H-6G-TR，即是选择了一种可持续、高效能的电子元器件解决方案。