型号:

STL15DN4F5

品牌:ST(意法半导体)
封装:PowerFlat™(5x6)
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
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描述:MOSFET-阵列-2-N-通道(双)-40V-60A-60W-表面贴装型-PowerFlat™(5x6)
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8.19
3000+
7.91
产品参数
属性参数值
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V,7.5A
耗散功率(Pd)4.3W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)25nC@20V
输入电容(Ciss)1.55nF@25V
反向传输电容(Crss)25pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

STL15DN4F5 产品概述

引言

STL15DN4F5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N通道MOSFET阵列,具有出色的导电性能和热管理能力。这款MOSFET适用于多种应用场景,包括电源管理、开关电源、马达驱动、LED驱动等。其低导通电阻和高电流处理能力,使其在现代电子设计中成为一种理想选择。

主要特性

  1. 高电流和低导通电阻
    STL15DN4F5的最大连续漏极电流(Id)可达60A,且在7.5A和10V的工作条件下,其导通电阻达到9毫欧,这样的性能可以显著提高电能的传输效率,降低系统发热量。

  2. 宽工作温度范围
    该MOSFET的工作温度范围为-55°C到175°C,使其能够在极端环境下依然稳定工作,这对于一些工业级和汽车应用尤为重要。

  3. 优异的开关特性
    在25V的条件下,其输入电容(Ciss)为1550pF,结合最大栅极电荷(Qg)25nC的特性,使得STL15DN4F5具备快速开关能力。这一点对于高频率开关应用和数字电路设计尤为关键。

  4. 逻辑电平驱动
    STL15DN4F5设计为逻辑电平门(Logic Level Gate),因此可以被微控制器和逻辑电路直接驱动,这简化了系统设计,提高了整体效率。

  5. 紧凑的封装形式
    采用PowerFlat™(5x6 mm)封装,不仅减小了PCB占用面积,还良好地支持热管理,确保产品在高负载下的稳定运行。

  6. 相对较高的漏源电压
    该MOSFET的漏源电压(Vdss)可达40V,使其适用于多种中低电压应用。如各种电源电路、保护电路等场合。

应用场景

STL15DN4F5的应用领域涵盖了从消费电子到工业控制的广泛范围。其具体应用包括:

  • 电源管理:特别是在高效开关电源中,STL15DN4F5的低导通电阻和高电流处理能力使其成为理想选择。
  • 马达驱动:在电控马达和电动工具中,该MOSFET可用于高效的电流控制和驱动。
  • LED驱动:利用其快速开关特性,该MOSFET适用于LED照明领域,能够有效提高系统性能。
  • 汽车电子:得益于其宽工作温度范围,该产品可用于汽车工业中的电源转换和负载开关应用。

总结

STL15DN4F5是一款功能强大的N通道MOSFET,其高电流和低导通电阻特性使其在现代电子设备中展现出卓越的性能。无论是在电源管理、马达控制,还是在LED驱动和汽车应用中,这款产品都能提供可靠的解决方案。凭借其宽广的工作温度范围和快速的开关能力,STL15DN4F5无疑是设计工程师在选择高效电子元件时的优先考虑对象。