STB80N20M5

STB80N20M5 产品概述

一、产品简介

STB80N20M5是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为需要高效率和高功率处理能力的应用场景设计。其最大漏源电压为200V，连续漏极电流达到61A，封装采用D2PAK形式，适合表面贴装（SMD）应用。这款MOSFET的主要特点是低导通电阻、高功率耗散能力和较宽的工作温度范围，能够在严苛的环境条件下实现稳定的性能。

二、技术参数

1. 电压和电流参数：

   • 最大漏源电压（Vdss）：200V
   • 25°C时的连续漏极电流（Id）：61A（Tc）

2. 导通电阻：

   • 不同Id、Vgs时的最大导通电阻（Rds(on)）为23毫欧，基于30.5A和10V的驱动电压，这一低导通电阻特性使得该MOSFET非常适合高效能电源转换和功率放大应用。

3. 栅极电压与电流：

   • 最大驱动电压：10V，适用于常见的控制电路。
   • Vgs(th)（栅源阈值电压）最大值为5V（@250µA）。
   • 栅极电荷（Qg）最大值为104nC，保证快速开关响应和高效率，尤其是在高频应用中表现出色。

4. 输入电容：

   • 输入电容（Ciss）最大值为4329pF（@50V），这表明在低频和高频工作条件下的稳定性，适合于高频开关电源和转换器。

5. 功率和温度参数：

   • 最大功率耗散：190W（Tc），能够在高负载情况下保持稳定的工作。
   • 工作温度范围高达150°C（TJ），使得该器件能够在极端温度环境下运行，为高功率应用提供可靠保障。

三、应用领域

STB80N20M5 MOSFET具备高频、高功率和高效能的特性，因此广泛应用于以下领域：

1. 电源管理：可用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS），实现高效能的电能转换。

2. 电动机驱动：在电机控制和驱动应用中，利用其高电流能力和快速响应特性，以实现更高的效率和更平滑的控制。

3. 逆变器：适用于光伏逆变器和其他能量转换设备，提升能量转换效率，降低能量损耗。

4. 工业控制：为自动化设备和控制系统提供助力，确保在高负荷条件下的稳定性和可靠性。

四、产品封装

STB80N20M5采用D2PAK封装，封装特点包括：

• 表面贴装形式：方便自动化生产线的集成与组装，提高了应用的灵活性。
• 优良的散热性能：封装设计确保MOSFET散热良好，能够在高功率情况下长期稳定工作，降低了系统的热风险。
• 兼容性：TO-263和D²Pak的封装标准，使之可以与多种PCB设计兼容，简化设计流程。

五、总结

STB80N20M5是一款功能强大且可靠的N通道MOSFET，具备高电流承载能力、低导通电阻、快速开关特性及凌驾150°C的高工作温度，以满足现代电子设计中的高效能和高可靠性需求。此产品无论是在电源管理、电动机控制还是工业应用中，均能够提供优越的性能，是推动现代电力电子技术发展的重要器件。