型号:

AO4402G

品牌:AOS
封装:SO-8
批次:21+
包装:编带
重量:-
其他:
AO4402G 产品实物图片
AO4402G 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 20V 20A 1个N沟道 SO-8
库存数量
库存:
1886
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.57
100+
1.25
750+
1.12
1500+
1.06
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.9mΩ@4.5V,20A
功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.25V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)45nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)3.3nF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)370pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

产品概述:AO4402G N沟道MOSFET

概述

AO4402G是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),设计用于各种功率管理和开关应用。其主要特点包括额定功率为3.1W,最大电压为20V,额定电流高达20A,封装形式为紧凑的SO-8封装。该元器件由知名品牌AOS(Alpha & Omega Semiconductor)生产,凭借其出色的性能和可靠性,广泛应用于消费电子、通信设备、计算机电源及汽车电子等多个领域。

基本参数

  • 类型:N沟道MOSFET
  • 额定功率:3.1W
  • 最大漏源电压(V_DS):20V
  • 最大漏电流(I_D):20A
  • 封装形式:SO-8
  • 工作温度范围:通常为-55°C至150°C,这保证了在各种环境条件下的高可靠性。
  • 栅源电压(V_GS):若干时限设计,适合多种驱动电压的环境。
  • 导通电阻(R_DS(on)):极低的导通电阻能够有效减少功耗,提升效率。

功能特点

  1. 高导电性:AO4402G在工作时具有极低的导通电阻,确保在大电流应用中保持高效能和低发热,这有助于散热管理和延长产品寿命。

  2. 出色的开关特性:该MOSFET的开关速度快,适合高频操作,能够满足现代电子设备在快速开关操作中的需求。这一特性使它特别适用于开关电源(SMPS)和电机驱动等应用。

  3. 紧凑的封装设计:SO-8封装不仅具备良好的热性能,还节省了电路板空间,适合于小型化的电子产品设计。用户可以轻松将其集成到各种电路中。

  4. 宽广的适用性:AO4402G可应用于从电源管理、LED驱动到马达控制等多种场景。其20A的额定电流确保了在较大功率情况下的稳定运行。

应用场景

  1. 电源管理:AO4402G适用于各种开关电源设计,包括DC-DC转换器、AC-DC适配器等,帮助提高整体电源效率和降低能耗。

  2. LED驱动电路:在照明领域,可以用作LED驱动器中的开关元件,控制LED灯具的电流,提升亮度及使用寿命。

  3. 马达驱动:在电动汽车和家用电器中,该MOSFET可以用于电机控制电路,实现更高效的电机驱动和管理。

  4. 通信设备:在诸如移动通信和网络设备中,用于开关和调节信号,提高系统的响应速度和能量效率。

结论

AO4402G N沟道MOSFET凭借其出色的电性能、高导电性和紧凑的SO-8封装,成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。无论是用于电源管理、LED驱动还是电机控制,其可靠性和高效能均可满足各类需求。随着电子产品向更高效、更小型化的方向发展,AO4402G无疑将成为更多设计师的首选元器件,对现代电子技术的发展产生积极的推动作用。