型号:

IS42S16160J-6TLI

品牌:ISSI(美国芯成)
封装:54-TSOP II
批次:-
包装:管装
重量:-
其他:
IS42S16160J-6TLI 产品实物图片
IS42S16160J-6TLI 一小时发货
描述:SDRAM-存储器-IC-256Mb-(16M-x-16)-并联-166MHz-5.4ns-54-TSOP-II
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
37.43
1080+
36.51
产品参数
属性参数值
存储器格式DRAM
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
电压 - 供电3V ~ 3.6V
技术SDRAM
存储器接口并联
存储器类型易失
安装类型表面贴装型
访问时间5.4ns
时钟频率166MHz
存储容量256Mb (16M x 16)

IS42S16160J-6TLI 产品概述

IS42S16160J-6TLI是由美国芯成(ISSI)公司生产的一款高性能动态随机存取存储器(DRAM),其采用了同步动态随机存取存储器(SDRAM)的技术,以满足现代电子设备对高速、高容量存储器的日益增长的需求。该产品凭借其出色的性能指标和广泛的应用范围,在消费电子、通信设备、工业控制和嵌入式系统等领域中得到了广泛认可。以下是对IS42S16160J-6TLI的详细介绍。

1. 存储器特性

IS42S16160J-6TLI提供256Mb的存储容量(16M x 16位),这使得它在处理大量数据时具备良好的灵活性和适应性。该存储器采用了54引脚的TSOP II封装,具有较小的占板面积,适合于表面贴装技术(SMT),大大简化了PCB设计与装配工艺。

2. 性能指标

在性能方面,IS42S16160J-6TLI的访问时间为5.4纳秒,时钟频率高达166MHz。这些性能指标确保了存储器实现快速数据访问和传输,能够满足高带宽应用的需求。此外,该存储器的运行温度范围广泛(-40°C至85°C),使其适用于各种环境条件下操作,特别是在工业及 automotive 领域中,对于温度和稳定性的要求都很高的设备。

3. 电源与电压要求

IS42S16160J-6TLI的供电电压范围为3V至3.6V,提供了一定的灵活性,以适应不同的电源设计要求。这样的设计使得它可轻松集成到各种供电系统中,降低了整体功耗,符合现代电子设备向低能耗发展的趋势。

4. 接口与兼容性

该产品采用并联存储器接口设计,具有较好的兼容性,便于与多种主控芯片和系统集成。其SDRAM规范使得该存储器能够支持隐形行读取和写入等高效操作,提升了存储器的工作效率。此特性使得IS42S16160J-6TLI在需要大量数据处理的应用中,具备优越的工作性能。

5. 应用场景

IS42S16160J-6TLI广泛应用于各种电子产品中,包括但不限于:

  • 消费电子:如智能手机、平板电脑、游戏机等,需要高容量和高性能存储解决方案的移动设备。
  • 工业控制:用于数据采集、实时监控等需要高可靠性存储的设备,符合工业环境的需求。
  • 通信设备:在路由器、交换机和基站等网络设备中,为高速数据传输提供必要的存储能力。
  • 嵌入式系统:如物联网设备和智能家居产品,能够支持复杂的操作和应用。

6. 结论

综上所述,IS42S16160J-6TLI作为一款高性能的同步动态随机存取存储器,以其优秀的存储容量、访问速度和宽广的温度适应性,满足了现代电子产品对性能和可靠性的要求。无论是用于消费电子、工业控制还是嵌入式系统,该产品都将提供强有力的支持,助力于各种技术创新与产品开发。选择IS42S16160J-6TLI,帮助您的产品在竞争中脱颖而出。