SUD50P08-25L-E3

VISHAY SUD50P08-25L-E3 产品概述

概述

VISHAY SUD50P08-25L-E3 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，特别设计用于高电压和大电流的应用场景。其具有额定漏源电压（Vdss）为 80V，能够连续承载高达 50A 的电流（在 25°C 时），同时结合其出色的导通电阻特性，使其在电源管理、电机驱动及其他高效开关应用中表现出色。

主要参数

• FET 类型: P 沟道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
• 漏源电压: 80V
• 连续漏极电流: 50A（在 Tc 条件下）
• 导通电阻 (Rds On): 最大 25.2 毫欧 @ 12.5A，10V
• 门栅阈值电压 (Vgs(th)): 最大 3V @ 250µA，提供了稳定的开启和关闭特性
• 驱动电压: 4.5V（最小）到 10V（最大）
• 栅极电荷 (Qg): 最大 160nC @ 10V，确保快速切换速度
• 输入电容 (Ciss): 最大 4700pF @ 40V，有利于提高开关效率
• 功率耗散: 在环境温度下最大 8.3W，而在冷却条件下可达到 136W
• 工作温度范围: -55°C ~ 175°C，适合于极端环境下的应用
• 封装类型: TO-252（D-Pak），便于表面贴装

应用场景

SUD50P08-25L-E3 的高性能特性和宽广的工作温度范围，使其非常适合于以下应用：

• 电源管理: 由于其高漏源电压和低导通电阻，可以有效提升 DC-DC 转换器的效率，降低能耗。
• 电机驱动: 在电机驱动系统中，能够进行快速切换，降低发热量，提高系统的响应速度。
• 充电器和逆变器: 在使用太阳能或其他可再生能源的系统中，可提高逆变器的效率。
• 开关电源: 适用于高频开关电源设计中，能够显著降低电源损耗并提高系统的性能。

电气性能与热管理

SUD50P08-25L-E3 的设计考虑到了有效的热管理，其功率耗散能力适应各种应用。可以在高功率条件下稳定工作，并在苛刻环境中表现优异。在进行 PCB 设计时，合理的散热设计可以进一步提升其性能表现，确保 MOSFET 在工作中不会过热，从而延长其使用寿命。

封装设计

TO-252 封装提供了相对较大的表面积，方便直接在 PCB 上进行安装。同时，该封装的设计也确保了良好的热传导特性，可以有效散热。这使得 SUD50P08-25L-E3 在紧凑型电子设备中得到广泛应用。特别是在需要高功率和好的散热表现的场合，TO-252 封装为其提供了必要的支持。

结论

VISHAY SUD50P08-25L-E3 是一款功能强大且适用范围广泛的 P 沟道 MOSFET，其高电压、高电流及高效能特性使其能够在多种电子应用中发挥重要作用。凭借其优越的性能和优秀的热管理能力，选择 SUD50P08-25L-E3 将为您的设计提供可靠的支持和保证。无论是在电源转换、马达驱动，还是其他高效能电子产品中，SUD50P08-25L-E3 都是值得信赖的选择。