型号:

STPSC8H065G-TR

品牌:ST(意法半导体)
封装:D²PAK
批次:-
包装:编带
重量:1.555g
其他:
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STPSC8H065G-TR 一小时发货
描述:碳化硅二极管 STPSC8H065G-TR D2PAK
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产品参数
属性参数值
整流电流(Io)8A
正向压降(Vf)1.75V@8A
直流反向耐压(Vr)650V

STPSC8H065G-TR 产品概述

一、产品简介

STPSC8H065G-TR 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能碳化硅(SiC)肖特基二极管,采用 D²PAK 封装,专为高效率和高温应用而设计。它具备650V的反向电压能力,8A的平均整流电流,以及超低正向压降的优点,适合用于各种电力电子设备中,同时能够在严苛的环境条件下运作。

二、主要特点

  1. 高反向电压能力

    • STPSC8H065G-TR 二极管的最大反向电压为650V,使得它能够在高电压应用中稳定工作,适合用于太阳能逆变器、电动汽车充电站和电源转换器等高压电力电子系统中。
  2. 优异的整流性能

    • 具有最高8A的平均整流电流,能够轻松应对大功率应用的需求。在8A时,正向压降仅为1.75V,显示出其良好的导通性能,从而降低了整体能耗。
  3. 超快开关速度

    • STPSC8H065G-TR 是一款无恢复时间的二极管,反向恢复时间为0ns,适合使用于高频开关应用,有助于提高整体电路的效率,降低开关损耗。
  4. 优秀的反向泄漏特性

    • 在650V的反向电压下,反向泄漏电流仅为80µA,确保了在高电压条件下的可靠性和稳定性。这一特性使其在高温或高负载情况下也能维持良好的性能。
  5. 良好的高频特性

    • 在0V和1MHz频率下的电容为414pF,这对于高频电路设计尤为重要,有助于减小总的寄生电容,提高开关频率带宽。
  6. 温度特性

    • 工作结温范围广泛,从-40°C到175°C,保证了在极端温度下的可靠性,从而适用于复杂和不受控的环境,例如工业、汽车及航空航天领域。
  7. 表面贴装技术(SMD)

    • 采用D²PAK封装,适合现代电子产品的自动化生产,提高了装配效率,确保了产品的可靠性和一致性。

三、应用领域

STPSC8H065G-TR 碳化硅肖特基二极管广泛应用于:

  • 太阳能逆变器:高效的电源转换和整流性能,可以转化太阳能为直接使用的电力。
  • 电动汽车充电站:确保快速充电过程中的能量转化和稳定性,提高充电效率。
  • 开关电源:在电源适配器、高效率电源和UPS系统中,通过提升转换效率来减少能耗。
  • 工业设备:改善电动机驱动、变频器与可再生能源系统中的运行性能。
  • 高温及高频电路:在多个严苛环境下保持卓越的性能与可靠性。

四、结论

STPSC8H065G-TR 是一款具备众多优越特性的碳化硅肖特基二极管,能够在多种高性能应用中发挥重要作用。无论是在汽车、电力电子还是可再生能源领域,它都展示出了卓越的可靠性与效率,是工程师们在电源管理和整流应用中的理想选择。通过这些特性,STPSC8H065G-TR 为现代电气和电子设计带来了更高效、安全且经济的解决方案。