型号：
STL110N4F7AG
品牌：ST(意法半导体)
封装：SMD/SMT
批次：-
包装：-
重量：-
其他：
-
描述：Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.64
3000+
3.5
产品参数
属性参数值
制造商STMicroelectronics
系列Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
包装卷带（TR）
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)108A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4毫欧 @ 54A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）94W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerFlat™（5x6）
封装/外壳8-PowerVDFN
漏源电压（Vdss）40V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）15nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1150pF @ 25V
STL110N4F7AG 产品概述
STMicroelectronics的STL110N4F7AG是一款专为汽车应用设计的高性能N沟道MOSFET，属于其著名的STripFET™ F7系列。该MOSFET具备一系列卓越的特性，使其能够满足现代汽车电气和电子设备日益增长的需求。
1. 基本参数与特性
STL110N4F7AG的主要电气参数非常出色，包括：
- 漏源电压（Vdss）：40V。这对于许多汽车应用如电源管理和马达驱动来说，是一个充足的电压范围。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C下可达到108A（Tc），这使得该元件能够在高功率应用中稳定工作。
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V的门电压下，最大导通电阻仅为4毫欧（@54A），这意味着在高电流下低功耗的特性，显著提高了能效并减少了热损耗。
- 最大栅源电压（Vgs(max)）：±20V，提供了较大的栅极控制范围，使其适应各种驱动电路。
此外，STL110N4F7AG的门阈电压（Vgs(th)）最大为4V（@250µA），这确保在低电平开关时能更快达到导通状态，提升了开关频率和响应速度。
2. 热性能与功耗
该元器件的功率耗散能力达到了94W（Tc），使其在高温和高功率的环境中应用时，具备良好的热管理能力。它的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适合极端环境下的使用，比如汽车发动机舱等高温部位。
3. 包装与安装
STL110N4F7AG采用PowerFlat™ 5x6封装，具有紧凑的尺寸和优良的散热特性。表面贴装（SMD/SMT）设计简化了生产工艺，使得该元件易于集成到现代车辆的 PCB 中。这种封装类型在提高电路密度的同时，也便于热管理，确保了各类组件之间的兼容性。
4. 应用场景
STL110N4F7AG广泛适用于多种汽车应用，例如：
- 电源管理系统：在DC-DC转换器和电源分配网络中发挥关键作用。
- 马达驱动：可以用于电动/混合动力汽车中的电机控制，因其高电流承载能力和快速开关特性，能够提高马达效率。
- 充电器和逆变器：适用于电动车充电系统的设计，帮助优化能量转化效率。
- 车载电子设备：在安全性和高性能需要的车载电子中提供稳定的电源供应。
5. 可靠性与标准
作为一款汽车级（AEC-Q101）元器件，STL110N4F7AG在设计与制造过程中遵循严格的质量和性能标准，确保其在各种严苛环境下的可靠性。这使得其特别适合用于要求高安全性和耐久性的汽车电子产品。
结论
STMicroelectronics的STL110N4F7AG是一款出色的汽车级N沟道MOSFET，其卓越的电气特性和热性能使其成为汽车电气系统中不可或缺的一部分。无论是在电源管理、马达驱动还是其他关键应用中，它都能提供可靠的性能，助力现代汽车向更高效、更智能的未来发展。