型号:

DTA123JUAT106

品牌:ROHM(罗姆)
封装:UMT3
批次:-
包装:编带
重量:0.024g
其他:
DTA123JUAT106 产品实物图片
DTA123JUAT106 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-323
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梯度内地(含税)
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0.478
200+
0.159
1500+
0.0997
3000+
0.0791
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.1V@5mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)500mV@100uA,5V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@5mA,0.25mA
输入电阻2.2kΩ
电阻比率21
工作温度-40℃~+150℃

产品概述:DTA123JUAT106

引言

DTA123JUAT106是一款由著名半导体制造商ROHM(罗姆)推出的数字晶体管,结合了卓越的电流处理能力和灵活的应用场景。这款晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,适合现代电子设备的紧凑设计,特别是在空间有限的应用中显示出其优越的特性。该产品的强大性能使其在消费电子、通信设备和工业控制等领域得到了广泛应用。

主要参数

DTA123JUAT106具备多项重要的电气特性,确保其在不同工作条件下的可靠性和高效能:

  • 安装类型:表面贴装型,方便自动化焊接和集成到高密度电路板中。
  • 集电极最大电流(Ic):100 mA,适合中等功率应用。
  • 集电极截止电流(Ic(max)):500 nA,展示出良好的泄漏特性,适用于低功耗应用。
  • 集射极击穿电压:50 V,确保在多种电源条件下都能正常工作,并提供一定的电压保护。
  • 饱和压降(Vce(sat)):在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)情况下,最大饱和压降为300 mV(在250 µA和5 mA时测得),提高了能效。
  • 基极电阻(R1):2.2 kΩ,适合于驱动电路的配置。
  • 跃迁频率:250 MHz,确保在高频应用中具有较好的放大性能。
  • 最大功率:200 mW,能够处理中低功率的信号放大需求。
  • 发射极电阻(R2):47 kΩ,有助于稳定工作状态并提升可靠性。
  • DC电流增益(hFE):在10 mA电流下,至少达到80,展示出良好的信号放大特性。

应用领域

DTA123JUAT106的设计使其非常适合应用于各种场合,包括但不限于:

  1. 消费者电子产品:如手机、平板电脑等,DTA123JUAT106可以用于开关电源、电池管理以及信号调理等模块。
  2. 自动化控制:在工业自动化设备中,能够承担中等负载的驱动任务,例如在电机控制和传感器接口等方面。
  3. 通信设备:适合于各种通信模块,能够处理高频信号并保持较低的噪声水平,确保信号的清晰传输。
  4. 教学设备:在实验室和教育场所,DTA123JUAT106能够作为教育平台上的基础电子元器件,帮助学生掌握数字电路和信号处理的基本概念。

性能优势

此数字晶体管的主要优势在于其高效能和高度集成设计。由于其超低的截止电流和合理的饱和压降,DTA123JUAT106在保证性能的同时有效降低了功耗,延长了电池寿命,具有负载适应性强、稳定性高的特性。此外,快速的跃迁频率确保其在实现信号传输过程中几乎没有延迟,使其在快速响应的应用中显得尤为重要。

总结

DTA123JUAT106是一款表现卓越且适用广泛的PNP数字晶体管,凭借其优异的电气性能和设计灵活性,成为了现代电子设备中不可或缺的组件之一。无论是在提升产品的能效,还是在优化设计空间上,它都展示出巨大的潜力,是设计师和工程师首选的理想元件。