型号:

SUM55P06-19L-E3

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-263(D2Pak)
批次:5年内
包装:编带
重量:1.648g
其他:
SUM55P06-19L-E3 产品实物图片
SUM55P06-19L-E3 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 3.75W;125W 60V 55A 1个P沟道 TO-263
库存数量
库存:
686
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:800
商品单价
梯度内地(含税)
1+
7.59
100+
6.44
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)55A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19mΩ@10V,30A
功率(Pd)3.75W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)76nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.5nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)290pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

产品概述:SUM55P06-19L-E3

一、产品简介

SUM55P06-19L-E3 是威世(VISHAY)公司推出的一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件具有出色的电气性能和可靠性,适用于不同的电子应用场景,包括电源管理、电机驱动和其他功率控制电路。它的漏源电压(Vdss)为60V,连续漏极电流(Id)可达55A,能够满足高功率应用的需求。

二、主要技术指标

  1. FET 类型: P通道
  2. 技术: MOSFET(金属氧化物半导体)
  3. 漏源电压 (Vdss): 60V,确保其在苛刻工作条件下的安全性。
  4. 连续漏极电流 (Id): 55A(在Tc条件下),适合需要大电流的应用。
  5. 导通电阻 (Rds On):
    • 最大值:19毫欧 @ 30A,10V,提供良好的导电性能,降低功率损耗。
  6. 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为3V @ 250µA,确保在较低的栅极驱动电压下特性良好。
  7. 栅极电荷 (Qg): 最大值为115nC @ 10V,有助于优化开关速度和效率。
  8. 栅极驱动电压 (Vgs): 最大值为±20V,提高设备的灵活性。
  9. 输入电容 (Ciss): 最大值为3500pF @ 25V,降低对高频信号的影响。
  10. 功率耗散: 最大值为3.75W(Ta)和125W(Tc),显著提升可承受的功率输出。
  11. 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ),广泛适用在高温或低温环境下的应用。
  12. 封装类型: TO-263(D2Pak),表面贴装型,便于自动化生产和安装。

三、应用领域

SUM55P06-19L-E3 适用于多种应用场景,包括但不限于:

  • 开关电源: 由于其优秀的导通电阻和高电流特性,非常适合用于开关电源的输入/输出开关。
  • 电机驱动: 能够高效控制电机的启动和停止,提高电机驱动系统的效率和可靠性。
  • 功率放大器: 在音频放大器等高功率应用中,通过提高开关效率来改善整体性能。
  • 工业控制: 在自动化设备和工业控制系统中,能够有效控制多种负载。
  • 电动汽车: 作为电力调节器件,在电动汽车的动力系统中表现出色。

四、性能优势

  • 高效能:较低的Rds On值意味着更少的能量损耗,进而提升系统的整体效率,尤其在热管理方面表现优秀。
  • 温度适应性强:能够在极端温度环境下稳定工作,尤其适合需要在严苛条件下操作的行业。
  • 封装便利性:TO-263封装支持表面贴装,适合现代高速自动化贴片技术,同时还具有良好的散热性能,能有效散发工作中的热量。

五、总结

总之,SUM55P06-19L-E3是一款性能优越的P沟道MOSFET,凭借其高电流承受能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,为客户在电源管理和功率控制应用中提供了可靠的解决方案。威世(VISHAY)凭借其卓越的制造工艺和严格的质量保证,让此产品在市场上具有更高的竞争力和追求卓越的技术价值。无论是新设计还是替换老旧器件,SUM55P06-19L-E3都是理想的选择。