型号:

DTA043ZEBTL

品牌:ROHM(罗姆)
封装:EMT3F(SOT-416FL)
批次:22+
包装:编带
重量:0.019g
其他:
DTA043ZEBTL 产品实物图片
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描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-416
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0897
3000+
0.0712
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@5mA,10V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.1V@5mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)500mV@100uA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)150mV@5mA,0.5mA
输入电阻4.7kΩ
电阻比率10
工作温度-55℃~+150℃

DTA043ZEBTL 产品概述

DTA043ZEBTL 是一款高性能的数字晶体管,主要设计用于各种信号放大和开关应用。该器件由罗姆(ROHM)公司生产,采用表面贴装型封装(EMT3F/SOT-416FL),非常适合于空间有限的电路设计。

关键规格

  1. 晶体管类型: DTA043ZEBTL 属于 PNP 型预偏压晶体管,优化了对负载变化的适应性,具备较高的电流增益和出色的开关特性。

  2. 集电极电流 (Ic): 最大集电极电流为 100mA,这使得 DTA043ZEBTL 能够驱动较大的负载,适合各种电子产品中的功率管理。

  3. 集射极击穿电压 (Vce): 击穿电压的最大值为 50V,保证了该器件在高电压环境下的稳定性,适合用于主流的电源管理和信号处理应用。

  4. DC 电流增益 (hFE): 在不同的Ic和Vce条件下,DTA043ZEBTL 的最小电流增益 (hFE) 达到 80(在5mA,10V时测量),这一特性确保了该晶体管在多种工作条件下均表现出色的增益特性。

  5. 饱和压降: 该器件的饱和压降在最大值为 150mV(在 500µA 和 5mA 的工作条件下),这一低压降特性有助于提高电路的整体效率,减少功耗。

  6. 频率特性: DTA043ZEBTL 拥有高达 250MHz 的跃迁频率,使其能够在高速数字信号应用中提供优秀的性能,极大地提高了响应速度。

  7. 功率额定值: 尽管最大功耗为 150mW,但在合适的散热条件下,DTA043ZEBTL 可以持续工作,确保设备在高负载情况下的稳定运行。

  8. 电阻器配置: 该晶体管的基极与发射极电阻器分别为 4.7 kOhms 和 47 kOhms,这一配置帮助优化晶体管的性能,确保其在多种电源条件下都能稳定工作。

  9. 封装和安装: 采用 SC-89/SOT-490 封装的 DTA043ZEBTL 不仅减少了占板空间,还提高了产品的抗干扰能力,广泛应用于便携式电子设备、通信产品及其他高密度自愿电路。

应用场景

DTA043ZEBTL 广泛应用于多个领域,包括:

  • 信号处理: 适用于各种信号放大应用,如音频放大、传感器信号增强等。
  • 开关电源: 可以用于电源管理和控制电路,能够高效地控制电压和电流。
  • 便携式电子设备: 由于其小巧的封装和低功耗特点,非常适合移动设备的需求。
  • 消费电子: 可用于电视、音响及其他智能家居设备,确保高效的功率转换和控制。

总结

DTA043ZEBTL 是一款性能卓越、应用广泛的 PNP 型数字晶体管,凭借其优越的电流增益、低饱和压降及高频特性,适合各种电子项目中的信号处理和开关应用。罗姆公司以其可靠的质量和稳定的性能,使得 DTA043ZEBTL 成为许多电子设计师的首选器件。无论是在消费电子还是工业应用中,DTA043ZEBTL 都能提供出色的电性能,为设计者提供便利与可靠的支持。