STP24N60DM2

STP24N60DM2 产品概述

一、产品简介

STP24N60DM2是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道MOSFET，具有高效能和高可靠性，特别适用于需要高电压和高电流的电力电子应用。该器件的漏源电压为600V，能够连续提供18A的漏极电流，结合其高达150W的功率耗散能力，适合多种应用场景，如开关电源、逆变器、电机驱动及其他高频率应用。

二、主要参数

• FET 类型: N 通道
• 技术类型: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
• 漏源电压（Vdss）: 600V
• 连续漏极电流 (Id): 18A @ 25°C（适用的散热条件下）
• 导通电阻 (Rds On): 200 毫欧 @ 9A, 10V
• 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为5V @ 250µA，说明器件在较低的栅极驱动电压下就能有效开启。
• 栅极电荷 (Qg): 最大值29nC @ 10V，反映了驱动电路的复杂性和功耗，适合高密度开关应用。
• 最大栅极源极电压（Vgs）: ±25V，提供了良好的安全裕度。
• 输入电容 (Ciss): 最大值1055pF @ 100V，影响开关速度与驱动功耗。
• 功率耗散（Pd）: 最大可达150W（在适当的散热条件下）。
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，适应极端环境。
• 安装类型: 通孔（Through-Hole）
• 封装: TO-220，兼备良好的散热性能与可靠性。

三、设计与应用场景

STP24N60DM2采用TO-220封装，具有较小的体积及良好的热导性能，适用于需要面临较高功率的环境。其优异的电气特性使得这款MOSFET在开关电源、逆变器、直流-直流转换器和电机驱动电路等领域中得到了广泛应用。

1. 开关电源: 在开关电源应用中，STP24N60DM2能够快速开关，确保电源转换的效率，以减少能量损耗和发热，确保系统稳定运行。

2. 逆变器: 在光伏发电和其他逆变器应用中，该器件高达600V的耐压能力使其在高电压条件下有优异的表现，适应各种高频率开关需求。

3. 电机驱动: 在无刷电机驱动和其他电机控制电路中，这款MOSFET能够提供高流量，确保可靠的电机启动和运行。

4. 车载应用: 由于其宽广的工作温度范围，这款MOSFET同样适用于汽车电子的高温环境下，满足严苛的行业标准。

四、结论

STP24N60DM2作为一种高性能的N沟道MOSFET，凭借其600V的高漏源电压以及18A的连续漏极电流，为设计工程师提供了丰富的设计选项。在许多需要高功率和高电压的应用场景中，该器件不仅能够提供出色的电气特性，还有助于实现高效、可靠的系统设计。此外，意法半导体作为知名的电子元器件供应商，提供良好的技术支持与服务，为用户的产品开发提供了更多保障。总体来说，STP24N60DM2是电力电子领域中一个理想的选择，为用户带来高效、可靠的解决方案。