型号:

RE1E002SPTCL

品牌:ROHM(罗姆)
封装:EMT3F(SOT-416FL)
批次:2年内
包装:编带
重量:1g
其他:
RE1E002SPTCL 产品实物图片
RE1E002SPTCL 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 150mW 30V 250mA 1个P沟道 SOT-416
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.198
3000+
0.175
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)250mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.4Ω@250mA,10V
功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)30pF@10V

RE1E002SPTCL 产品概述

基本信息: RE1E002SPTCL 是 ROHM(罗姆)公司推出的一款 P 通道 MOSFET,采用 SOT-416 封装,封装类型为表面贴装型。该器件设计用于高效的功率管理和控制应用,适用于需要高可靠性和高温环境下操作的电子设备。

电气参数:

  • 安装类型: 表面贴装型,使其适合现代电子产品的小型化设计。
  • 导通电阻 (Rds On): 在 250mA 和 10V 的条件下,最大导通电阻为 1.4 欧姆,这使得它能在低电流情况下保持较低的功耗。
  • 驱动电压: 器件的最大 Rds On 和最小 Rds On 驱动电压分别为 4V 和 10V,支持多种控制电压的电路设计。
  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下,该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 250mA,适应多种使用场景。
  • 输入电容 (Ciss): 在 10V 的情况下,器件的最大输入电容为 30pF,这使得其具备快速开关特性,适合高频应用。
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 在 1mA 时,该器件的最大阈值电压为 2.5V,支持多种输入信号的兼容性。
  • 漏源电压 (Vdss): 最大漏源电压为 30V,确保其在多种功率电路中的应用安全可靠。
  • 功率耗散: 该 MOSFET 在 25°C 环境温度下的最大功耗为 150mW,适合在限制功率和高温的情况下运作。

工作环境: RE1E002SPTCL 的工作温度范围可达 150°C,适合应对高温工作环境的挑战,例如汽车电子、工业控制和某些消费电子产品。其出色的热稳定性为设计师提供了更大的灵活性和设计安全性。

应用领域: 由于其卓越的性能和设计特性,RE1E002SPTCL 适用于多种应用场景,包括但不限于:

  1. 电源管理: 能够有效控制电源开关,降低能耗,提升能量效率。
  2. 信号开关: 适用于数据信号的选择与开关操作,确保信号传输的完整性。
  3. 驱动电路: 尤其是在小马达或LED驱动的应用中,能够提供灵活控制,确保设备的高效运作。
  4. 便携式设备: 由于其小巧的封装和低功耗特性,适合应用于智能手机、便携式音频设备等。

总结: RE1E002SPTCL P 通道 MOSFET 是一款高性能、低功耗的电子元器件,具备广泛的应用潜力和高温工作的能力。其优越的电气参数和可靠的性能,能够满足现代电子设备对于功率管理、信号处理以及开关控制的要求。ROHM 作为行业领先的半导体制造商,其提供的高质量 MOSFET 解决方案确保每一款产品都能在严苛的应用环境中稳定性运行,是设计师和工程师在选择 MOSFET 解决方案时值得信赖的选择。