型号:

AOSS32334C

品牌:AOS
封装:SOT-23
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
AOSS32334C 产品实物图片
AOSS32334C 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 6.2A 1个N沟道 SOT-23-3
库存数量
库存:
2891
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.405
3000+
0.379
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@6.2A,10V
功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)600pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

AOSS32334C 产品概述

AOSS32334C 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),旨在满足各种电子设备对高效能和可靠性的要求。其主要特点包括:额定功率为1.3W,最大工作电压为30V,最大持续电流为6.2A,采用紧凑的SOT-23-3封装。这些特性使得AOSS32334C 在多种应用场合中成为理想选择,包括电源管理、开关电路和负载驱动等。

主要特性

  1. 结构优越: AOSS32334C 采用N沟道设计,结合先進的制造工艺,使其拥有优越的导通特性和快速响应能力。该MOSFET的沟道结构提供了低的导通电阻(RDS(on)),从而降低了在工作过程中产生的功耗,提高了能效。

  2. 电气性能

    • 额定电压:30V
    • 持续电流:6.2A
    • 功率耗散:最大1.3W 这些参数使得AOSS32334C 在对应的应用中具有出色的可靠性能够承受高负载,并维持稳定的电流传输。
  3. 封装与尺寸: AOSS32334C 采用 SOT-23-3 封装,尺寸小巧,适合空间有限的应用场合。这种封装不仅提高了热管理性能,减少了电路板空间的需求,还便于自动化生产和组装。

  4. 温度特性: 该MOSFET具有良好的温度稳定性,可以在较宽的工作温度范围内完整地运行。这使得AOSS32334C 适合在温度变化较大的环境中广泛使用。

应用领域

AOSS32334C 适用于各种应用,尤其在以下领域表现优异:

  1. 电源管理: 在电源转换器和稳压器中,AOSS32334C可用于开关电源(SMPS)和线性稳压器的开关元件,确保高效的电能转化与分配。

  2. 负载控制: 该MOSFET可以用作电机驱动和灯光控制的开关元件,能够快速响应操作信号,实现精确的负载控制与调节。

  3. 便携设备: 由于其小巧的SOT-23-3封装,AOSS32334C 非常适合用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,提供高效的电源管理和信号处理能力。

  4. 消费电子: 在现代消费电子产品(如电视、音响设备及家用电器)中,AOSS32334C 可用于音频放大器的输入输出电路,实现快速开关与高效能传输。

总结

AOSS32334C 作为一款具有高性能与多功能应用的N沟道MOSFET,凭借其优越的硬件特性与可靠的工作性能,为各种电子产品提供了理想的解决方案。在持续需求高效率和低功耗的当今市场中,AOSS32334C 不仅能满足电子工程师的设计需求,还能在上市后的使用过程提供优秀的性能与可靠性。无论是在移动设备、消费电子,还是在电源管理系统中,这款MOSFET都是一个值得信赖的选择。