型号:

STD7NK40ZT4

品牌:ST(意法半导体)
封装:DPAK
批次:-
包装:编带
重量:0.52g
其他:
STD7NK40ZT4 产品实物图片
STD7NK40ZT4 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 70W 400V 5.4A 1个N沟道 TO-252
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最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.47
2500+
2.37
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)5.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)850mΩ@10V,2.7A
功率(Pd)70W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA
栅极电荷(Qg@Vgs)26nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)535pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)18pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

产品概述:STD7NK40ZT4

STD7NK40ZT4 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由意法半导体(STMicroelectronics)制造。该器件设计用于需要高电压和较强电流驱动的应用场景,具备优异的热稳定性和电气特性,是现代电子设备中不可或缺的基础元件之一。

主要技术参数

  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vdss):最大 400V,适合高电压系统
  • 25°C 时连续漏极电流 (Id):高达 5.4A,支持大功率负载
  • 驱动电压(Vgs):最小为 10V,以确保开关的高效性和稳定性
  • 导通电阻(Rds On):最大 1Ω @ 2.7A 和 10V,实现低功耗损耗
  • 阈值电压(Vgs(th)):最大 4.5V @ 50µA,确保在低电压下的快速开启
  • 栅极电荷 (Qg):最大 26nC @ 10V,提供较快的开关速度
  • 输入电容 (Ciss):最大 535pF @ 25V,良好的高频特性
  • 功率耗散:最大功率耗散为 70W(Tc),适合高功率应用
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C,宽广的温度适应能力
  • 封装类型:表面贴装型 DPAK (TO-252),便于自动化焊接和节省板空间

应用领域

STD7NK40ZT4 MOSFET 在电子电路中的用途非常广泛,尤其是在电源转换与控制、开关电源、马达驱动、电动汽车、工控设备及其他高功率应用中,具有重要的实际价值。其优异的性能使得它在以下方面表现突出:

  1. 电源管理:在开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中,STD7NK40ZT4 作为开关元件,在提供稳定电压和电流的同时,最大限度地减少能量损耗,提高整体系统效率。

  2. 马达控制:在电动机控制应用中,利用其高电流和高电压条件下的安全性能,可以有效控制直流和交流电动机的启停,实现精准调速。

  3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他可再生能源系统中,STD7NK40ZT4 的高耐压特性保证了在高电压环境下的可靠性,增强整个逆变系统的稳定性。

  4. 自动化设备:在工业自动化设备中,包括PLC控制、机器人等,使用该 MOSFET 可以实现高动态响应和快速切换,提高工作效率。

设计与实施考虑

在设计电路时,使用 STD7NK40ZT4 时需要关注以下几个方面:

  • 热管理:由于该元器件在工作时可能会产生显著的热量,设计时需考虑适当的散热措施,确保在规定的环境温度范围内高效运行。

  • 驱动电路设计:由于 MOSFET 在开启和关闭时的栅极电荷特性,设计合适的驱动电路可以提升响应速度和功率转换效率。

  • 负载特性配合:在使用 STD7NK40ZT4 作为功率开关时,合理匹配负载特性以避免过载,从而延长器件的使用寿命。

总结

STD7NK40ZT4 MOSFET 以其出色的性能指标和强大的应用能力,不仅满足高电压和高电流的需求,还确保了在各种极端工作条件下的稳定性和可靠性。作为意法半导体的优质产品,它是现代电力电子设备中不可或缺的关键元件,广泛应用于电源管理、马达控制和工业自动化等领域,为其精确和高效的控制提供了有力支持。选择 STD7NK40ZT4,将为您的设计提供性能保障与优异体验。