STW8N120K5

STW8N120K5 产品概述

产品基本信息 STW8N120K5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的 N 通道 MOSFET，专为高压应用设计。这款器件的额定漏源电压（Vdss）为 1200V，能够承受较高的电压和电流，同时具备出色的热稳定性和导电性能。该产品采用 TO-247 封装，便于散热和安装，适用于各种工业和消费类电子设备中。

技术规格

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
• 漏源电压（Vdss）: 1200V，适合高电压应用
• 连续漏极电流（Id）: 6A（在 Tc 为 25°C 时）
• 驱动电压: 10V，最大 Rds On 及最小 Rds On
• 导通电阻: 最大值 2 欧姆（@ 2.5A，10V）
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值 5V（@ 100µA）
• 栅极电荷（Qg）: 最大值 13.7nC（@ 10V）
• 输入电容（Ciss）: 最大值 505pF（@ 100V）
• 功率耗散: 最大值 130W（在 Tc 条件下）
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C
• 安装类型: 通孔
• 封装类型: TO-247-3

性能特点 STW8N120K5 的设计兼顾了高压、高效能电流传导与优良的热管理。其最大导通电阻（Rds On）为 2 欧姆，使得在导通状态下功耗较低，适用于需要长时间工作并保持高效率的应用场景。此外，其漏源电压高达 1200V，能够满足许多工业设备及电源系统的需求。

杰出的栅极阈值电压（Vgs(th)）特性，使得该器件能够在较低的栅极驱动电压下工作，从而降低输入功耗。此外，最小的栅极电荷（Qg）值意味着该 MOSFET 在开关过程中具备快速响应能力，这对于高频开关电源和电机控制等应用尤为重要。

应用场景 STW8N120K5 适用于多种应用场景，包括但不限于：

1. 开关电源: 因其高效能与高压能力，此 MOSFET 常被用于设计高压开关电源。
2. 电机驱动: 在电动机驱动应用中，该器件能够稳定地承载所需电流，同时维持较低的导通损耗。
3. 逆变器: 适合用于太阳能逆变器与其他类型的逆变器，因其能够处理高达 1200V 的电压。
4. 工业自动化系统: 用于相关电源和驱动控制，满足工业设备对高功率、高效能的需求。

散热及安装 TO-247 封装设计确保了良好的散热性能，适合在高功率应用中使用。安装过程简单，能够有效连接到电路板上，以适应大多数设计需求。

总结 STW8N120K5 不仅具备出色的电气性能，还展现了良好的热管理能力与结构设计，非常适合于对高压及大功率有严格要求的工业应用。通过采用该 MOSFET，设计工程师能够实现更高效、更可靠的电子设备，推动电源管理及电机驱动技术的进步。结合其广泛的工作温度范围，该器件能在苛刻的工作条件下始终保持卓越性能，为现代电子产品提供坚实的基础。