型号:

ZVN0545GTA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:2年内
包装:编带
重量:0.15g
其他:
ZVN0545GTA 产品实物图片
ZVN0545GTA 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2W 450V 140mA 1个N沟道 SOT-223-4
库存数量
库存:
1177
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.63
1000+
1.5
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)450V
连续漏极电流(Id)140mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50Ω@10V,100mA
功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)70pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)4pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

ZVN0545GTA 产品概述

产品简介

ZVN0545GTA 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专门设计用于各种中高电压和电流应用。这种场效应管采用 SOT-223 表面贴装封装,凭借其优秀的电气特性和可靠性,已广泛应用于开关电源、马达控制、负载开关以及其他需要高频率和高效能的应用场景。

主要特性

  1. 电气特性:

    • 漏源电压 (Vds): 该 MOSFET 的最大漏源电压高达 450V,使其能够在高电压工作环境下稳定运行,非常适合于高压应用。
    • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下,ZVN0545GTA 能够提供最高 140mA 的连续漏极电流,保证了其在多种负载条件下的可靠性。
    • 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅源电压下,最大导通电阻为 50Ω(在 100mA 时),这一特性确保了在开关操作时低能量损耗,提升了功率效率。
  2. 电压和功率处理能力:

    • 驱动电压: 此款器件在栅极驱动电压上具有优良的表现,滴水 Vgs 最大值为 ±20V,为应用设计者提供了良好的设计灵活性。
    • 功率耗散: ZVN0545GTA 可承受高达 2W 的功率损耗,适合于各种发热条件下的应用。
  3. 温度特性:

    • 工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,使其能够在极端环境下稳定工作。
  4. 输入和输出特性:

    • 输入电容 (Ciss): 在 25V 时,输入电容达 70pF,这意味着在进行高频开关操作时,器件的响应速度较快,提高了开关效率和系统的整体性能。
    • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 3V(在 1mA 下),使得该器件能够在较低驱动电压下开启,提高了驱动电路的简易性和可靠性。
  5. 封装和安装:

    • 封装类型: ZVN0545GTA 采用符合工业标准的 SOT-223 封装,方便进行表面贴装,适合高密度电子电路板的设计。

应用领域

ZVN0545GTA 适合多种应用领域,包括但不限于:

  • 开关电源: 在电源转换和稳压环节发挥重要作用。
  • 马达控制: 控制直流或交流电机的启停及调速。
  • 负载开关: 在家用电器和工业设备中,对负载进行有效的开关控制。
  • 信号开关: 在音频和视频设备中的信号选择及切换。

总结

ZVN0545GTA 是一款兼具高电压、大电流和优良导通性能的 N 通道 MOSFET,专为要求极端可靠性和高效能的电路设计而设计。其广泛的应用领域及卓越的电气特性,使其成为工程师在设计电源和控制电路时的首选组件。基于 DIODES (美台) 品牌的信誉,用户可以对该产品的性能和可靠性有充分的信心。