型号:

DDTC123YUA-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT323
批次:5年内
包装:编带
重量:1g
其他:
DDTC123YUA-7-F 产品实物图片
DDTC123YUA-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-323-3
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.116
3000+
0.092
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)33@10mA,5V

产品概述:DDTC123YUA-7-F

概述

DDTC123YUA-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能数字晶体管,具有 NPN 预偏置结构,广泛应用于各种电子电路中。这款晶体管的设计灵活性和出色的电气特性使其成为信号放大和开关应用的理想选择。

基本参数

  1. 制造商: Diodes Incorporated
  2. 包装形式: 卷带(TR)
  3. 零件状态: 有源
  4. 晶体管类型: NPN - 预偏压
  5. 封装类型: SOT-323,SC-70
  6. 供应商器件封装: SOT-323

电气特性

DDTC123YUA-7-F 的关键电气特性包括:

  • 直流电流增益 (hFE): 在 10mA 集电极电流 (Ic) 和 5V 集电极-发射极电压 (Vce) 时,最低增益为 33。这一特性确保了在小电流下的良好放大能力,适用于各种信号处理应用。

  • Vce 饱和压降: 在 500µA 基极电流 (Ib) 和 10mA 集电极电流 (Ic) 条件下,饱和压降最大为 300mV。这一低饱和压降对功耗管理和电路效率至关重要。

  • 电流 - 集电极截止 (Ic(max)): 最大集电极截止电流为 100mA,使得该晶体管可处理一定程度的负载。

  • 电压 - 集射极击穿 (Vce(max)): 最大集电极-发射极击穿电压为 50V,适用于中等电压的应用场景。

  • 频率 - 跃迁: 该器件具有高达 250MHz 的跃迁频率,适合高频信号处理和开关应用。

  • 功率 - 最大值: 该晶体管的最大功率为 200mW,提供足够的功率处理能力以满足大多数中小型电子电路的需求。

应用场景

DDTC123YUA-7-F 的广泛应用场景包括:

  1. 信号放大: 由于其较高的增益,DDTC123YUA-7-F 非常适合用于射频和音频信号放大器中。

  2. 开关电路: 该晶体管的快速响应和低饱和压降特性使其理想用于各类开关电路,包括数字电路和逻辑电路。

  3. 电源管理: 在电源管理模块中使用时,该晶体管能够有效地控制电源的开关状态,优化能耗。

  4. 家电及智能设备: 作为信号处理元件,DDTC123YUA-7-F 可广泛应用于家用电器及智能设备的控制电路中。

  5. 电动机驱动: 在电机控制应用中,DDTC123YUA-7-F 可以用于电压单元与小型直流电机的驱动控制,确保集合性能与效果的一致。

购买与应用注意事项

在选择和使用 DDTC123YUA-7-F 时,设计工程师和开发者应考虑其技术参数与应用场景的匹配。务必遵循相关的电流和电压规格,避免过载,以延长其使用寿命。同时,确保适当地散热设计,以防止过热导致性能下降。

总结来说,DDTC123YUA-7-F 是一款高性能、结构紧凑的 NPN 预偏置晶体管,适合多种电子应用,其优异的电气特性使其有效满足现代电子产品对器件性能的需求。选择 DDTC123YUA-7-F,您将拥有一款可实现出色性能的元器件,助力于高效的产品开发与设计。