STD16N50M2

STD16N50M2 产品概述

一、产品简介

STD16N50M2 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用先进的金属氧化物半导体技术，专为高压以及高电流应用设计。该产品具有最大漏源电压 (Vdss) 500V、连续漏极电流 (Id) 13A、最大功率耗散达到 110W，适合于各种电源管理和转换电路中。

二、关键技术参数

1. 漏源电压 (Vdss)：500V

   • 该参数表明 STD16N50M2 在承受高电压工作环境下的能力，适用于需要高耐压的电源应用。

2. 连续漏极电流 (Id)：13A

   • 该 MOSFET 可以在典型的工作条件下持久地承载 13A 的电流，适合用于电动机驱动、开关电源以及其他需要大电流的场合。

3. 门极驱动电压 (Vgs)：10V

   • 驱动电压的选取对于控制 FET 的导通状态至关重要，STD16N50M2 在 10V 驱动下类似于 280 毫欧的导通电阻，确保其在导通时效率高、损耗低。

4. 导通电阻 (Rds(on))：最大 280 毫欧 @ 6.5A, 10V

   • 导通电阻是影响功率损耗和效率的重要因素，较低的 Rds(on) 值可实现更高的效率，确保在大电流应用中发热量较少。

5. 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大 4V @ 250µA

   • 栅极阈值电压定义了门极开启的基本电压，在这一点上 MOSFET 开始导通，适用于多种控制逻辑电压。

6. 栅极电荷 (Qg)：最大 19.5nC @ 10V

   • 栅极电荷的大小直接影响开关速度，较小的 Qg 值有助于提高开关频率，在高频应用中表现出更好的性能。

7. 工作温度范围：-55°C ~ 150°C

   • 该元器件的宽工作温度范围使其适用于恶劣环境，使其成为汽车、工业设备等领域的理想选择。

8. 封装形式：TO-252（D-Pak）

   • 表面贴装型的设计使其在PCB设计中占用面积小，易于自动化焊接，广泛应用于现代电子产品。

三、应用领域

STD16N50M2 被广泛应用于：

• 开关电源：因其高耐压和高电流能力，适合用于AC-DC 转换器、DC-DC 转换器。
• 电动机控制：在电动机驱动和控制中表现优异，能够有效应对大电流和电压的瞬变。
• 逆变器：在可再生能源系统如太阳能、风能中，用于功率逆变器中，提高系统的整体效率。
• 电源管理系统：在便携式电子设备及电池管理系统中，用于优化能量利用。

四、总结

STD16N50M2 作为 ST（意法半导体）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，凭借其优秀的电气特性和可靠的温度适应性，成为多种高功率电子应用中的核心元件。无论是在稳定性或效率方面，其优异的参数都使其在现代电子设计中占据重要地位，能够满足各种苛刻的应用需求。选择 STD16N50M2，将为您的项目带来先进的技术支持和卓越的使用体验。