STH3N150-2 产品概述
产品简介
STH3N150-2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 通道 MOSFET，专为高压应用而设计，其漏源电压（Vdss）高达 1500V，其额定电流在 25°C 时可达到 2.5A。该器件采用表面贴装型（SMD）H²PAK 封装，具有优良的散热性能和适应性，适合在空间受限的应用环境中使用。
主要特性
高电压耐受性：STH3N150-2 的 Vdss 达到 1500V，能够支持高压驱动系统，如开关电源、逆变器和电动机驱动器，在各种高压领域中表现音域出众。
高功率处理能力：该器件的最大功率耗散为 140W（Tc），确保在高负载条件下的稳定运行，适应各种工业和消费类应用。
优异的导通特性：在额定条件下（10V Vgs，1.3A Id），最大的导通电阻 Rds(on) 为 9Ω，使其能够有效降低传导损耗，提升系统整体效率。
宽工作温度范围：器件的工作温度可在 -55°C 到 150°C 之间，这意味着它能够在极端的环境条件下稳定工作，适合航空航天、汽车和工业控制等严苛的应用场景。
低栅极驱动电压：需施加的栅极驱动电压（Vgs）最大为 ±30V，支持多种控制电路方案，而阈值电压（Vgs(th) 最大值为 5V）确保了其良好的开关性能。
小型化设计：H²PAK 封装使得该 MOSFET 在保证性能的前提下，实现了紧凑的尺寸和优异的热管理特性，适用各种小型化的电子产品设计。
高频开关能力：其输入电容（Ciss）最大值为 939pF @ 25V，使其具有良好的频率响应，适合高频开关应用。
栅极电荷特性：在 Vgs 为 10V 的条件下，栅极电荷 Qg 最大为 29.3nC，这使得其在高频切换操作中表现出色，减少了开关损耗。
应用场合
STH3N150-2 MOSFET 适用于多个应用场景，包括但不限于：
- 开关电源：在电源转换器中使用，以提高电源效率和降低功耗。
- 电动机驱动：用于电动机控制电路，提供高效和可靠的电流传输路径。
- 逆变器：在太阳能逆变器和其他高压电源系统中，以提高转换效率。
- 电源管理应用：如电池管理系统、功率分配和调节电路。
总结
STH3N150-2 是一款功能强大且灵活的高压 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性和可靠性，成为广泛工业应用中的理想选择。无论是在高压开关电源、逆变器还是其他电力电子设备中，STH3N150-2 都能提供出色的性能和安全保障，是提升设备效率和整体厚度的理想元件。通过选择该元件，工程师可以确保他们的设计在高压环境中具有更高的稳定性与效率，从而促进整个系统的性能提升。