型号:

BCP5316TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:2年内
包装:编带
重量:0.15g
其他:
BCP5316TA 产品实物图片
BCP5316TA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2W 80V 1A PNP SOT-223-4
库存数量
库存:
755
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.375
1000+
0.34
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)25@150mA,2V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)20uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@500mA,50mA
工作温度-65℃~+150℃

BCP5316TA 产品概述

BCP5316TA 是一款高性能 PNP 型晶体管,专为需要中等功率的电子应用而设计,其主要特点包括最大集电极电流为 1A,集射极击穿电压高达 80V,适合用于各种电路。作为一种表面贴装型器件,BCP5316TA 采用 SOT-223 封装,具有良好的电气性能和热特性,操作温度范围广泛,从 -65°C 到 150°C,使得其在恶劣的环境中也能稳定工作。

核心参数

BCP5316TA 的主要技术参数为:

  • 管型:PNP 型
  • 最大集电极电流 (Ic):1A
  • 最大集射极击穿电压 (Vceo):80V
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在 50mA 和 500mA 时最大为 500mV
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大值为 100nA,确保在关闭状态时漏电流极低
  • 直流电流增益 (hFE):在 150mA 和 2V 时的最小值为 100,提供良好的放大能力
  • 最大功率:2W,适应能力强
  • 频率特性:跃迁频率为 150MHz,适合于高频应用
  • 操作温度:-65°C 到 150°C,适应多种环境

应用领域

BCP5316TA 广泛应用于需要高速切换和高效率的电源管理和信号放大场景,特别是在消费电子、汽车电子和工业控制领域中。这款晶体管适用于开关电源、步进电机驱动、电池充电器以及其它要求低功耗和高效率的电路设计。

另外,由于 BCP5316TA 的高电流增益特性,设计师可以在电路中采用较小的基极电流来驱动大电流负载,从而在电路设计中实现更高的功率效率和更小的空间占用。这一点对于高密度集成的现代电子系统尤为重要,使得 BCP5316TA 成为理想的选择。

封装与安装

BCP5316TA 采用 SOT-223 封装,尺寸小巧,便于在面贴装PCB板上使用。这种封装方式的设计不仅能够减少元件间的信号干扰,还能优化电源和信号路径,为更高的电路性能提供了空间保证。

性能优势

  1. 高性能:尽管其体积小,但 BCP5316TA 提供了良好的集电极电流和高的击穿电压,适用范围广。
  2. 高增益:适合用于大多数信号放大和开关应用,满足设计师对于电源和信号管理的需求。
  3. 可靠性:具备宽广的工作温度范围,适合在各种环境条件下稳定运行。

总结

BCP5316TA 是一款出色的 PNP 型晶体管,其灵活的性能参数和耐用的设计使其在现代电子产品中占据了重要位置。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制等领域,BCP5316TA 皆是提供高效能解决方案的理想选择。其小型化的 SOT-223 封装和优秀的电气性能,使它成为现代电路设计的宠儿,满足越来越多的高性能应用需求。