描述：表面贴装型 P 通道 12 V 3.3A（Ta） 820mW（Ta） U-WLB1010-4
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750+
1.57
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1.49
3000+
1.41
产品参数
属性参数值
制造商Diodes Incorporated
包装卷带（TR）
零件状态有源
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）80 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 250µA
Vgs（最大值）-6V
功率耗散（最大值）820mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装U-WLB1010-4
封装/外壳4-UFBGA，WLBGA
漏源电压（Vdss）12V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）350pF @ 6V
产品概述：DMP1080UCB4-7
1. 制造商与基本信息
DMP1080UCB4-7是由Diodes Incorporated制造的一款高性能P沟道MOSFET（场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关应用和负载控制等场景。该器件采用了钝化金属氧化物半导体技术（MOSFET），以提供卓越的开关性能和能效。它的紧凑型U-WLB1010-4封装使其非常适合于高密度布局的表面贴装设备。
2. 设计与结构
DMP1080UCB4-7采用的4-UFBGA（WLBGA）封装形式实现了优越的散热性能和电气性能。该器件的设计遵循现代电子设备对高集成度、小尺寸和轻重量的要求，使其在便携式电子设备、汽车电子和工业控制等多个领域具有广泛的应用潜力。
3. 电气特性
- 连续漏极电流（Id）：该MOSFET在25°C环境下可持续输出3.3A的漏极电流，适用于高电流应用。
- 导通电阻（Rds(on)）：在4.5V的栅极电压下，最大导通电阻为80毫欧（@500mA），这使得该器件在工作过程中保持极低的功率损耗，有助于提高系统效率。
- 门极阈值电压（Vgs(th)）：在250µA下，最大阈值电压为1V，使得DMP1080UCB4-7具备良好的驱动性能。
- 最大漏源电压（Vdss）：该器件最大漏源电压为12V，适合于多种低压电源应用。
4. 热性能
DMP1080UCB4-7的最大功率耗散为820mW（在环境温度Ta下），为系统提供了良好的热管理能力。此外，其工作温度范围从-55°C到150°C（TJ），使得该器件可以在极端环境下正常工作，满足各种工业应用所需的可靠性标准。
5. 其他特性
- 栅极电荷（Qg）：在4.5V的驱动电压下，栅极电荷的最大值为5nC，这意味着在开关操作中，该器件的驱动要求较低，能够减少驱动电路的功耗。
- 输入电容（Ciss）：在6V下输入电容的最大值为350pF，这使得在高速开关中保持较低的输入延迟，加强了其在开关电源中的应用潜力。
6. 应用场景
DMP1080UCB4-7的特性使其非常适合于消费电子、计算设备、汽车电子及工业系统等多种应用。常见的应用包括：
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 电池管理系统
- 电源开关
- LED驱动电路
7. 结论
综上所述，DMP1080UCB4-7是一款高效能、高可靠性的P沟道MOSFET，凭借其优越的电气特性、优良的热管理、广泛的工作温度范围及小型化设计，成为许多现代电子设备中不可或缺的元器件。其在功率管理和开关应用中的表现，对于实现高效能电源设计至关重要。对于设计工程师而言，选择DMP1080UCB4-7有助于提升产品的整体效能与稳定性。