产品概述:GJM1555C1HR75WB01D
GJM1555C1HR75WB01D 是一款由著名电子元器件制造商村田(muRata)生产的高性能贴片电容器(MLCC)。其基本参数包括电容值为 0.75pF,额定电压为 50V,容差为 ±0.05pF,适合于各类高频和 RF 应用。该元件采用 C0G/NP0 温度系数技术,具有极低的温度漂移特性,确保了其在极端温度条件下的可靠性和稳定性。
GJM1555C1HR75WB01D 采用 0402(1005公制)封装,其尺寸为0.039" 长 x 0.020" 宽(即1.00mm x 0.50mm),厚度最大不超过0.022"(0.55mm)。这种小型化的设计使其非常适合用于空间有限的电路板上,同时也降低了寄生电感和电阻,从而提升了整个电路的性能。
高 Q 值:GJM1555C1HR75WB01D 提供高 Q 值特性,意味着其在高频信号下能够有效减少功耗和信号失真。这对于射频和微波应用尤为重要,因为在这些领域,信号的完整性是至关重要的。
低损耗:该电容器具有极低的能量损耗,确保在工作时不会因发热而影响性能。这种低损耗特性使其在高频电路中表现出色,能够提供更高的效率。
广泛的工作温度范围:GJM1555C1HR75WB01D 的工作温度范围为 -55°C 到 125°C,使其能够在极端环境条件下稳定运行。
优良的温度系数:作为 C0G/NP0 类型的电容器,其电容值在温度变化时变化极小,能够提供出色的稳定性和可靠性。
GJM1555C1HR75WB01D 主要应用于 RF、微波和高速信号处理等领域。具体应用包括但不限于:
作为一款高性能的贴片电容器,GJM1555C1HR75WB01D 在电容值、精度、温度范围以及封装尺寸等方面均表现出色。其高 Q 值和低损耗特性使其成为高频与 RF 应用的理想选择。村田凭借其卓越的制造工艺和严格的品质控制,为客户提供了这款在技术上可媲美的电子元件,能够满足现代电子设备对于稳定性和高性能的需求。选择 GJM1555C1HR75WB01D,将为您的设计带来更为可靠和高效的性能保障。