型号:

IRFU120PBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-251-3
批次:23+
包装:管装
重量:0.687g
其他:
IRFU120PBF 产品实物图片
IRFU120PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W;42W 100V 7.7A 1个N沟道 TO-251-3
库存数量
库存:
2250
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.21
100+
2.68
750+
2.47
1500+
2.36
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)7.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)270mΩ@10V,4.6A
功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)16nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)360pF
反向传输电容(Crss@Vds)34pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

IRFU120PBF 产品概述

概述
IRFU120PBF 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),适用于多种电子应用。该MOSFET 由威世(VISHAY)品牌生产,封装形式为 TO-251-3,具有紧凑的结构和可靠的性能。这款器件的额定漏源电压为 100V,最大连续漏流可达到 7.7A,特别适合电源管理、开关电源和电机驱动等应用场景。

技术规格

  • 类型: N 通道 MOSFET
  • 漏源电压 (Vdss): 100V
  • 连续漏极电流 (Id): 7.7A (在 Tc 环境温度下)
  • 最大 Rds(on): 270 毫欧 @ 4.6A,10V
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V @ 250µA
  • 栅极电荷 (Qg): 最大 16nC @ 10V
  • 最大 Vgs: ±20V
  • 输入电容 (Ciss): 最大 360pF @ 25V
  • 功率耗散: 最大2.5W (在环境温度Ta下),42W (在结温Tc下)
  • 工作温度范围: -55°C 到 150°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 封装: TO-251AA(短引线,IPak)

性能特点
IRFU120PBF 采用先进的 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on)),在高电流下仍能保持较小的功耗和较低的发热量。由于其较高的泄漏电压和工作温度范围,IRFU120PBF 可以在多种恶劣环境条件下稳定工作。它的快速开关时间和低栅极电荷使其在高频率应用中表现出色,能有效提高系统的整体效率。

应用场景

  1. 电源管理: 在 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)中广泛使用,IRFU120PBF 可以有效控制电流和提升转换效率。
  2. 电机驱动: 该MOSFET 的高电流能力和快速响应使其适用于电机驱动电路,能够实现精准的电机控制和高效的能量转换。
  3. 照明控制: 在 LED 照明和其他类型的照明控制电路中,IRFU120PBF 可以作为开关器件,确保负载的可靠运行。
  4. 便携式设备: 由于其小型化设计,IRFU120PBF 适合于要求空间有限的便携式设备和消费电子产品。

结论
IRFU120PBF 是一款适应性强、性能卓越的 N 通道 MOSFET,凭借其高效的电流控制和高耐压特性,适合用于各种电子和电气应用。无论是在开关电源,电机驱动,还是其他需要高效率、高可靠性的领域,IRFU120PBF 都是一种理想的选择。威世公司的技术保障和高质量标准,使得 IRFU120PBF 能够在全球市场上获得广泛的认可与使用。