BST82,215

产品概述：BST82,215 N通道MOSFET

一、基本信息

BST82,215是一款N通道MOSFET（场效应管），由知名电子元器件供应商Nexperia（安世）制造。该元器件采用TO-236AB封装，属于表面贴装型（SMD），非常适合现代电子设备的小型化设计需求。这款MOSFET在电力转换和开关应用中表现出色，能够满足各种性能指标的要求。

二、技术参数

1. 漏源电压（Vdss）: 100V

   • 此参数表示BST82,215在绝缘状态下漏极与源极之间的最大电压。这一高电压特性使其非常适合用于高电压电路。

2. 连续漏极电流（Id）: 190mA（25°C工作温度）

   • 该MOSFET能够处理的最大连续电流为190mA，适用于多种中小功率应用。

3. 驱动电压（Vgs）: 5V

   • MOSFET的栅极驱动电压，采用5V驱动下可以达到最小Rds On（导通电阻），从而提高电路的效率。

4. 导通电阻（Rds On）: 最大10Ω @ 150mA，5V

   • 在设计电路时，导通电阻（Rds On）是一个至关重要的参数，它直接影响到功率损耗和热管理。低Rds On意味着更高的效率。

5. 阈值电压（Vgs(th)）: 最大2V @ 1mA

   • 该参数表示MOSFET开始导通的栅极源极电压阈值，能够在低电压情况下被驱动，更加便于集成与驱动。

6. 输入电容（Ciss）: 最大40pF @ 10V

   • 较小的输入电容有助于电路在高频操作时保持稳定，确保迅速的开关响应。

7. 功率耗散: 最大830mW（Tc）

   • 该MOSFET的最大功率耗散能力，使得在设计中可以有效管理和散发热量，确保稳定运行。

8. 工作温度范围: -65°C ~ 150°C（TJ）

   • 广泛的工作温度范围使得BST82,215可以在极端环境中运行，适用于各种工业及消费类的应用。

三、封装与安装类型

BST82,215采用TO-236AB封装，符合SOT-23标准，适合表面贴装技术（SMT）应用。小巧的外形设计能够有效节省电路板空间，而且方便自动化生产，提升生产效率。表面贴装型的特性使其能够在更高的密度和多层电路板设计中被广泛使用。

四、应用场景

BST82,215广泛应用于以下场景：

1. 电源管理

   • 在开关电源、DC-DC转换器中，BST82,215可作为开关元件，提升电源效率和性能。

2. 信号开关

   • 其低导通电阻和高电压承受能力使其非常适合用于信号路由和数字开关。

3. 驱动电路

   • 在驱动负载的高频电路中，该MOSFET能够提供快速的开关响应，确保负载稳定和高效工作。

4. 消费电子

   • 适用于各类消费电子产品，如便携式设备、计算机、家电等，推动小型化和高效率。

五、总结

综上所述，BST82,215 N通道MOSFET凭借其优良的性能参数、紧凑的封装和广泛的工作温度范围，成为电子设计师在电源管理和信号控制中的理想选择。它的高可靠性和稳定性，确保了各种应用场景中的有效性和效率。选择BST82,215，将为您的电子项目带来更高的性能和更低的能耗，是推动现代电子产品创新的重要支持。