型号:

STP24N60M2

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220-3
批次:23+
包装:管装
重量:2.8g
其他:
STP24N60M2 产品实物图片
STP24N60M2 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 150W 600V 18A 1个N沟道 TO-220
库存数量
库存:
230
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.76
100+
4.61
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)190mΩ@10V,9A
功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@480V
输入电容(Ciss@Vds)1.06nF
反向传输电容(Crss@Vds)2.2pF
工作温度-55℃~+150℃

STP24N60M2 产品概述

产品简介 STP24N60M2是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),具有优越的电气特性与热管理能力,主要应用于高压开关电源、逆变器、电机驱动以及其他需要高效能和高可靠性的电源管理系统。这款MOSFET采用TO-220-3封装,具有良好的散热性能,适合在较高功率下工作。

关键参数

  1. 漏源电压(Vdss): STP24N60M2的漏源电压为600V,使其能够承受高达600V的电压,适合用于高电压应用场合。
  2. 连续漏极电流(Id): 该器件在额定工作条件下提供高达18A的连续漏极电流,确保其在大功率应用环境下具备良好的稳定性。
  3. 功率耗散: 在结温为25°C时,该MOSFET的最大功率耗散为150W,可在高负载条件下保持可靠的工作状态。
  4. 导通电阻(Rds(on)): STP24N60M2在Vgs为10V时,最大导通电阻为190毫欧@9A,显示出其在低导通阻抗下的优越性能,实现更高的效率和更低的热损耗。
  5. 栅极电荷(Qg): 在10V的栅极驱动电压下,栅极电荷典型值为29nC,这表明其具备良好的开关速度,优化了开关损耗。
  6. 阈值电压(Vgs(th)): 当漏极电流为250µA时,Vgs(th)的最大值为4V,确保MOSFET在较低的栅电压下即可开启,提高了设计灵活性。

工作温度与稳定性 STP24N60M2的工作温度范围广泛,能够在-55°C到150°C的环境条件下可靠工作。这使得该设备适合在苛刻的工业及环境条件下操作,不仅提高了应用的灵活性,而且减少了由于温度变化带来的故障风险。

应用领域 得益于其优异的电气性能,STP24N60M2广泛应用于多个领域:

  • 开关电源: 在电源转换中实现高效能与低功耗,适合用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
  • 电机驱动: 用于直流电机和步进电机的驱动,提供可靠的电源切换与控制。
  • 逆变器: 在可再生能源的逆变系统,尤其是太阳能逆变器中,STP24N60M2展现出其高效率和高稳定性。
  • 家电控制: 适用于各种小型家电及工业控制设备中的功率开关。

总结 STP24N60M2是一款性能卓越的N通道MOSFET,凭借其高达600V的耐压能力、可靠的导通特性及广泛的工作温度范围,非常适合用于各类高功率和高电压应用。该器件不仅提升了设备的工作效率,还降低了开关损耗,延长了产品的使用寿命,是当前市场上具有竞争力的电子元器件之一。通过选择STP24N60M2,工程师们可以更轻松地设计和集成高效、可靠的电源管理解决方案。