FCD5N60TM

FCD5N60TM 产品概述

概述

FCD5N60TM 是一款高性能的 N 通道MOSFET（场效应晶体管），由安森美（ON Semiconductor）公司生产，具有600V的漏源电压和4.6A的连续漏极电流能力。这款器件的特点是出色的开关特性、低导通电阻和良好的热管理能力，特别适合用于功率转换、开关电源和电机驱动等高压应用。

主要规格

• FET 类型：N 通道
• 技术：MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 连续漏极电流（Id）：4.6A @ 25°C （Tc）
• 导通电阻（Rds On）：最大值950毫欧 @ 2.3A，10V
• 栅极电压（Vgs）：最大±30V，确保在各种应用场景下的稳定性
• 导通电压阈值（Vgs(th)）：最大5V @ 250µA，便于驱动控制
• 栅极电荷（Qg）：最大16nC @ 10V，为快速开关操作提供了基础
• 输入电容（Ciss）：最大600pF @ 25V，实现高频开关的低损耗
• 功率耗散：最大54W（Tc），在热管理方面表现出色
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ），适应严苛的环境条件
• 安装类型：表面贴装型，提高了散热效率和空间利用率
• 封装类型：D-Pak（TO-252-3封装），适合自动化贴装

性能特点

1. 高电压与高电流能力：FCD5N60TM 具备高达600V的漏源电压，使其非常适合高压应用。另外，其4.6A的连续漏极电流可以满足大多数用户的需求，为中高功率电源管理提供了良好的解决方案。

2. 低导通电阻：950毫欧的导通电阻显著降低导通损耗，这在高频率和高负载条件下尤其重要，可以提高系统整体效率，减少发热。

3. 宽工作温度范围：其工作温度范围从-55°C至150°C，使其能够在极端环境条件下正常运行，适合汽车、工业控制等应用场合。

4. 易于驱动：FCD5N60TM 的门电压阈值（Vgs(th)）仅为最大5V，适合与多种控制电路和逻辑器件兼容。此外，低栅极电荷(Qg)使得它在快速开关应用中表现优秀。

5. 小巧封装：D-Pak封装（TO-252-3），体积小，同时确保良好的散热性能，从而有利于在空间受限的应用中进行高效布局和集成。

应用场景

FCD5N60TM 具有广泛的应用前景，主要包括：

• 开关电源：用于电源模块，提升效率并降低功耗。
• 电机控制：可在各种电机驱动系统中使用，提高控制精度。
• LED驱动：在LED照明系统中，提供良好的开关性能和热管理。
• 逆变器：用于可再生能源系统中的逆变器设计，提高系统性能。

结论

FCD5N60TM 是一款出色的 N 通道 MOSFET，具备高电压、高电流、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，适合于各种高压和高效能的应用场景。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域，这款器件都能为设计工程师提供可靠的解决方案，从而推动整个系统的性能和效率提升。