型号:

DMP3017SFGQ-7

品牌:DIODES(美台)
封装:PowerDI3333-8
批次:-
包装:编带
重量:0.056g
其他:
DMP3017SFGQ-7 产品实物图片
DMP3017SFGQ-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 940mW 30V 11.5A 1个P沟道 PowerDI3333-8
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.66
100+
2.05
1000+
1.77
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)11.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10mΩ@10V,11.5A
功率(Pd)940mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

产品概述:DMP3017SFGQ-7 MOSFET

简介

DMP3017SFGQ-7 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,专为高效能电源管理和功率控制应用设计。其工作电压为30V,最高支持连续漏极电流为11.5A,适合多个领域的应用,包括电源转换、马达驱动和其他高功率电路。

技术参数

DMP3017SFGQ-7 的重要技术参数包括:

  • 漏源电压 (Vdss):最高30V,适合低到中等电压应用。
  • 连续漏极电流 (Id):11.5A(在25°C环境温度下),表现出色的电流承载能力,有助于提高电路的整体效率。
  • 驱动电压:支持4.5V和10V的驱动电压选项,保证了其在不同工作条件下的灵活性。
  • 导通电阻 (Rds On):最大导通电阻为10毫欧(在10V 和11.5A条件下),有效减少能量损耗,提升电路的整体效率。
  • 阈值电压 (Vgs(th)):最大值为3V(在250µA时),保证了低功耗操作的灵敏度。
  • 栅极电荷 (Qg):在10V时,栅极电荷最大为41nC,能够快速响应开关信号。
  • 输入电容 (Ciss):2346pF(在15V时),有助于提高开关速度和降低开关损耗。
  • 功率耗散 (Pd):最大940mW(在25°C环境温度下),确保了良好的散热特性。
  • 工作温度范围:-55°C至150°C,适用于各种极端环境。

封装与安装

DMP3017SFGQ-7采用PowerDI3333-8封装类型,适合表面贴装(SMD)技术,设计紧凑,使其在节省空间的同时,保持优良的散热性能。该封装不仅提高了安装便利性,还促进了与其他元器件的集成,适应现代电路板设计的需要。

应用场景

DMP3017SFGQ-7 MOSFET广泛适用于需要高效率和低开关损耗的多种应用场景,如:

  • 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流、以及其他电源调节电路,提供高效能的电流控制。
  • 马达控制:可以用作电机驱动电路中的开关元件,提供强劲的输出功率和高效的驱动能力,广泛应用于电动工具、电动汽车等领域。
  • LED照明:在LED驱动电路中,作为开关元件实现快速开关,提升系统的转换效率。
  • 消费电子产品:应用于电池管理系统、便携式电源和其他电子设备中,确保持续稳定的功率供应。

总结

作为一款高性能的 P 沟道 MOSFET,DMP3017SFGQ-7以其优越的电气特性和强大的功率承载能力,在多个领域展现出良好的应用前景。其综合性能不仅有助于提高电路的能效,还能够在设计中为工程师提供更大的灵活性和可靠性。在未来的电子设备和系统设计中,DMP3017SFGQ-7将是一个理想的重要元件选择,能够满足严苛的应用需求,推动电子技术的发展与创新。